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龍圖騰網(wǎng)獲悉成都功成半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種降低晶格失配的GaN HEMT功率器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116013982B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211615478.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)一種降低晶格失配的GaN HEMT功率器件是由王中健;曹遠(yuǎn)迎設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-08-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種降低晶格失配的GaN HEMT功率器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種降低晶格失配的GaNHEMT功率器件，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，器件包括從下至上依次連接的第三襯底、第二中間層、緩沖層、GaN層和AlGaN層；所述AlGaN層上設(shè)置有源極、漏極和柵極，其中，所述源極、漏極均延伸連接至所述GaN層中；所述GaN層中設(shè)置有空腔，所述空腔的下端延伸至所述緩沖層中，所述空腔的上端位于源極和漏極的溝道下方，所述GaNHEMT功率器件的一側(cè)向下鍵合一個SOI片，在所述第二中間層上加一個硅層。本發(fā)明通過在GaN層形成空腔，一方面減少了溝道下方GaN層的厚度，減少了漏電通道，減少漏電，另一方面，使得AlGaNGaN界面二維電子氣密度增加，減少GaN層因?yàn)榫Ц袷湟鸬奈诲e，提高器件性能。

本發(fā)明授權(quán)一種降低晶格失配的GaN HEMT功率器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種降低晶格失配的GaNHEMT功率器件，其特征在于，包括從下至上依次連接的第三襯底1、第二中間層2、緩沖層3、GaN層4和AlGaN層5；所述AlGaN層5上設(shè)置有源極、漏極和柵極，其中，所述源極、漏極均延伸連接至所述GaN層4中；所述GaN層4中設(shè)置有空腔6，所述空腔6的下端延伸至所述緩沖層3中，所述空腔6的上端位于源極和漏極的溝道下方； 所述GaNHEMT功率器件的制備方法包括以下步驟： S1、在第一襯底8上依次外延緩沖層3、GaN層4和AlGaN層5； S2、在所述AlGaN層5上旋涂或沉積第一中間層9，并在所述第一中間層9上鍵合第二襯底10； S3、研磨加選擇性刻蝕去掉所述第一襯底8漏出所述緩沖層3，在所述緩沖層3上旋涂光刻膠并開窗口； S4、依次刻蝕所述緩沖層3、GaN層4形成刻蝕槽，其中，刻蝕槽延伸至所述GaN層4內(nèi)部后停止刻蝕并去除所述光刻膠； S5、在所述緩沖層3上鍵合旋涂或沉積有第二中間層2的第三襯底1，并讓所述第二中間層2蓋住所述刻蝕槽，形成空腔6； S6、去掉所述第一中間層9和第二襯底10，并在所述AlGaN層5上制造源極、漏極和柵極，得到GaNHEMT功率器件； 所述GaNHEMT功率器件的一側(cè)向下鍵合一個SOI片，在所述第二中間層2上加一個硅層。

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