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龍圖騰網獲悉南京元感微電子有限公司申請的專利一種FET陣列氣敏傳感器及其加工方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115656277B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211372287.1，技術領域涉及：G01N27/12；該發明授權一種FET陣列氣敏傳感器及其加工方法是由任青穎;柳俊文;史曉晶;李衛;胡引引設計研發完成，并于2022-11-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種FET陣列氣敏傳感器及其加工方法在說明書摘要公布了：本發明涉及氣敏傳感器技術領域，公開一種FET陣列氣敏傳感器及其加工方法。其中FET陣列氣敏傳感器包括：襯底，設有隔熱腔室；絕緣層，位于隔熱腔室的一端；硅島，位于絕緣層的第一側面上；FET加熱陣列，包括若干個FET加熱單元，每個FET加熱單元均包括感應電極組和若干個摻雜極，摻雜極分為源極和漏極；若干個氣敏層，每個氣敏層均覆蓋在一個感應電極組上。本發明公開的FET陣列氣敏傳感器，能夠在相同的電流下將至少兩個氣敏層均勻地加熱至不同的溫度，增加了敏感氣體濃度檢測的準確性，能夠實現多種氣體的識別，提升了FET陣列氣敏傳感器的應用空間，降低了氣敏層出現裂紋的概率，有利于FET陣列氣敏傳感器的批量化生產。

本發明授權一種FET陣列氣敏傳感器及其加工方法在權利要求書中公布了：1.一種FET陣列氣敏傳感器，其特征在于，包括： 襯底，其上設有隔熱腔室； 絕緣層，位于所述隔熱腔室的一端且固定在所述襯底上； 硅島，位于所述絕緣層的第一側面上且位于所述隔熱腔室內； FET加熱陣列，包括若干個FET加熱單元，每個所述FET加熱單元均包括感應電極組和若干個摻雜極，所述摻雜極分為源極和漏極，所述源極和所述漏極間隔排布在所述硅島內且與所述第一側面接觸，所述感應電極組設置在所述絕緣層的第二側面上或者所述絕緣層內，所述第二側面與所述第一側面正對設置，所述源極和所述漏極導通時能夠產生熱量，沿每個所述FET加熱單元的邊緣至中心的方向，所述摻雜極的橫截面積逐漸減小，每個所述FET加熱單元的所述摻雜極的深度均相同，沿每個所述FET加熱單元的邊緣至中心的方向，所述摻雜極的寬度逐漸減小； 若干個氣敏層，每個所述氣敏層均覆蓋在一個所述感應電極組上或者覆蓋在正對所述感應電極組的所述絕緣層上，至少兩個所述FET加熱單元通入相同的電流時能夠在相同時長內分別將對應的所述氣敏層加熱至不同的溫度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京元感微電子有限公司，其通訊地址為：211100 江蘇省南京市江寧開發區迎翠路7號科創大廈八層樓8009-1；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。