杭州富芯半導體有限公司羅加聘獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州富芯半導體有限公司申請的專利功率器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115863251B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211728275.8，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權功率器件及其制備方法是由羅加聘;洪昊哲;沈宸棋設計研發完成，并于2022-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種功率器件及其制備方法。制備方法包括步驟：提供硅基底，于硅基底內形成阱區、位于阱區內的漂移區和位于漂移區內的淺溝槽隔離結構，淺溝槽隔離結構和硅基底之間形成有襯墊隔離層，漂移區上定義有注入窗口，注入窗口與淺溝槽隔離結構相鄰，注入窗口顯露出硅基底；對漂移區的注入窗口進行離子注入，以于對應注入窗口的硅基底表面形成以非晶硅為主的破壞層；對對應破壞層的區域進行熱氧化處理，以于注入窗口內形成高壓柵氧層，高壓柵氧層與淺溝槽隔離結構相鄰接。本申請有助于避免器件局部擊穿，可以提高器件的電性能。
本發明授權功率器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種功率器件的制備方法，其特征在于，包括步驟： 提供硅基底，于所述硅基底內形成阱區11、位于所述阱區11內的漂移區12和位于所述漂移區12內的淺溝槽隔離結構13，所述淺溝槽隔離結構13和硅基底之間形成有襯墊隔離層15，所述漂移區12上定義有注入窗口121，所述注入窗口121與所述淺溝槽隔離結構13相鄰，所述注入窗口121顯露出所述硅基底；對所述漂移區12的注入窗口121進行離子注入，以于對應所述注入窗口121的硅基底表面形成以非晶硅為主的破壞層122；其中，于所述淺溝槽隔離結構13的表面形成所述襯墊隔離層15的步驟包括：采用沉積工藝于所述淺溝槽隔離結構13的表面形成第一隔離層18；通過濕法刻蝕工藝去除所述第一隔離層18；采用沉積工藝于所述淺溝槽隔離結構13的表面形成所述襯墊隔離層15； 對對應所述破壞層122的區域進行熱氧化處理，以于所述注入窗口121內形成高壓柵氧層14，所述高壓柵氧層14與所述淺溝槽隔離結構13相鄰接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州富芯半導體有限公司，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市濱江區西興街道聯慧街6號1-1301；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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