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龍圖騰網獲悉上海芯導電子科技股份有限公司申請的專利肖特基二極管及制作方法，以及電子設備及制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116072705B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310046958.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權肖特基二極管及制作方法，以及電子設備及制作方法是由王瑩;歐新華;袁瓊;陳敏;符志崗;孫春明;李艷旭設計研發完成，并于2023-01-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本肖特基二極管及制作方法，以及電子設備及制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種肖特基二極管，包括：肖特基二極管結構，該結構具體包括：襯底、外延層以及若干柵極溝槽；N+型離子注入區與第一勢壘層；N+型離子注入區形成于遠離若干柵極溝槽一側的外延層中；第一勢壘層形成于N+型離子注入區的表層中；層間介質層，覆蓋外延層的表面，且暴露出若干柵極溝槽、若干柵極溝槽之間的外延層以及N+型離子注入區；第一金屬層與鈍化層，第一金屬層形成于第一勢壘層的頂端；鈍化層包裹第一金屬層，且暴露出部分第一金屬層的表面；第一焊盤，形成于第一金屬層暴露出來的表面上。該技術方案解決了由于傳統打線工藝造成的對芯片有效面積的限制的技術問題。進而實現了降低肖特基二極管的壓降和提高過電流能力的技術效果。

本發明授權肖特基二極管及制作方法，以及電子設備及制作方法在權利要求書中公布了：1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括： 肖特基二極管結構，所述肖特基二極管結構包括：襯底、外延層、場氧層、若干柵極、第二勢壘層以及若干柵極溝槽；所述外延層形成于所述襯底上；所述若干柵極溝槽形成于所述外延層中；場氧層形成于所述若干柵極溝槽的內壁上；若干柵極分別填充于所述若干柵極溝槽中；第二勢壘層形成于所述若干柵極溝槽之間的所述外延層的表層； N+型離子注入區與第一勢壘層；所述N+型離子注入區形成于遠離所述若干柵極溝槽一側的所述外延層中；所述第一勢壘層形成于所述N+型離子注入區的表層中； 層間介質層，覆蓋所述外延層的表面，且暴露出所述若干柵極溝槽、所述若干柵極溝槽之間的所述外延層以及所述N+型離子注入區； 第一金屬層與鈍化層，所述第一金屬層形成于所述第一勢壘層的頂端；所述鈍化層包裹所述第一金屬層，且暴露出部分所述第一金屬層的表面； 第一焊盤，形成于所述第一金屬層暴露出來的表面上； 第二金屬層，覆蓋所述第二勢壘層與所述柵極的頂端； 其中，所述鈍化層還包裹所述第二金屬層，且暴露出部分所述第二金屬層的表面； 第二焊盤，形成于所述第二金屬層暴露出來的表面上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海芯導電子科技股份有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區祖沖之路2277弄7號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。