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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安交通大學(xué);煙臺先進(jìn)材料與綠色制造山東省實(shí)驗(yàn)室申請的專利一種基于光通量檢測的MEMS光學(xué)電場傳感器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116047139B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310092196.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R15/22；該發(fā)明授權(quán)一種基于光通量檢測的MEMS光學(xué)電場傳感器是由田邊;雷嘉明;張仲愷;李樂;劉江江;徐書生;趙立波;蔣莊德設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-02-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于光通量檢測的MEMS光學(xué)電場傳感器在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于光通量檢測的MEMS光學(xué)電場傳感器，硅微結(jié)構(gòu)柵格層與玻璃鍍鉻柵格層上下排布組成敏感結(jié)構(gòu)，下層硅微結(jié)構(gòu)通過彈簧連接在底層硅結(jié)構(gòu)之上，上層玻璃鍍鉻層通過鍵合的方式固定在硅微結(jié)構(gòu)之上，上層結(jié)構(gòu)固定不動下層硅微結(jié)構(gòu)隨電場變化發(fā)生形變，光源從正上方垂直入射，再穿過兩層結(jié)構(gòu)后被接收，下層硅微結(jié)構(gòu)的形變引發(fā)的柵格與上層?xùn)鸥裰丿B面積發(fā)生變化，從而實(shí)現(xiàn)接收光通量的變化，能夠?qū)崿F(xiàn)強(qiáng)電磁環(huán)境下的電場強(qiáng)度測量，制備封裝方法簡單，便于安裝使用，且成本較低，可應(yīng)用于電力系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測、空間電場檢測等多場景測電場。

本發(fā)明授權(quán)一種基于光通量檢測的MEMS光學(xué)電場傳感器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于光通量檢測的MEMS光學(xué)電場傳感器，其特征在于，包括玻璃鍍鉻層1，玻璃鍍鉻層1的表面濺射陣列設(shè)置有柵格狀金屬鉻2，玻璃鍍鉻層1設(shè)置在器件層3上，器件層3設(shè)置在底硅層5上，器件層3和底硅層5之間設(shè)置有絕緣層4，柵格狀金屬鉻2與器件層3上的硅微結(jié)構(gòu)柵格8上下排布組成敏感結(jié)構(gòu)，利用硅微結(jié)構(gòu)柵格8形變后與柵格狀金屬鉻2重疊面積的變化實(shí)現(xiàn)接收光通量的變化。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人西安交通大學(xué);煙臺先進(jìn)材料與綠色制造山東省實(shí)驗(yàn)室，其通訊地址為：710049 陜西省西安市碑林區(qū)咸寧西路28號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。