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龍圖騰網(wǎng)獲悉無錫極電光能科技有限公司申請的專利一種鈣鈦礦薄膜制備設(shè)備、制備方法及鈣鈦礦電池獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116240499B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310285758.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C14/24；該發(fā)明授權(quán)一種鈣鈦礦薄膜制備設(shè)備、制備方法及鈣鈦礦電池是由請求不公布姓名;王良樂;姚博;邵君;于振瑞設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-03-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種鈣鈦礦薄膜制備設(shè)備、制備方法及鈣鈦礦電池在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種鈣鈦礦薄膜制備設(shè)備、制備方法及鈣鈦礦電池，所述鈣鈦礦薄膜制備設(shè)備包括真空制膜系統(tǒng)和MFC氣體流量控制系統(tǒng)，所述真空制膜系統(tǒng)的進(jìn)氣口連接所述MFC氣體流量控制系統(tǒng)；所述真空制膜系統(tǒng)包括真空單元和抽真空單元，所述真空單元包括真空腔室，所述真空腔室的出氣口連接所述抽真空單元。本發(fā)明通過增加MFC氣體流量控制系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)備改造，可以有效控制設(shè)備內(nèi)殘余氣體分子的成分及數(shù)量，使其在不影響薄膜純度的同時(shí)制備出疏松多孔的金屬鹵化物薄膜，這有利于后續(xù)有機(jī)組分的滲入，增大鈣鈦礦的成核結(jié)晶，制備得到高質(zhì)量且大面積的鈣鈦礦薄膜和性能優(yōu)異的器件；該設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單、工藝參數(shù)穩(wěn)定性高，適合大規(guī)模應(yīng)用和批量生產(chǎn)。

本發(fā)明授權(quán)一種鈣鈦礦薄膜制備設(shè)備、制備方法及鈣鈦礦電池在權(quán)利要求書中公布了：1.一種鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法采用鈣鈦礦薄膜制備設(shè)備； 所述鈣鈦礦薄膜制備設(shè)備包括真空制膜系統(tǒng)和MFC氣體流量控制系統(tǒng)；所述真空制膜系統(tǒng)的進(jìn)氣口連接所述MFC氣體流量控制系統(tǒng)； 所述真空制膜系統(tǒng)包括真空單元和抽真空單元，所述真空單元包括真空腔室，所述真空腔室的出氣口連接所述抽真空單元； 所述制備方法包括以下步驟： （1）將基片放置于真空腔室中，通過抽真空單元進(jìn)行抽真空； （2）通過MFC氣體流量控制系統(tǒng)通入工作氣體； （3）將原料真空沉積在所述基片的表面，形成金屬鹵化物薄膜； （4）在所述金屬鹵化物薄膜的表面制備有機(jī)鹵化物薄膜，經(jīng)過熱處理，得到所述鈣鈦礦薄膜； 步驟（1）所述通過抽真空單元進(jìn)行抽真空之后，真空腔室內(nèi)的真空度小于等于1×10- 5Pa； 步驟（2）所述通入工作氣體之后，真空腔室內(nèi)的真空度穩(wěn)定在1×10-4-2×10-3Pa的范圍內(nèi)； 步驟（2）所述工作氣體包括氮?dú)夂突蚨栊詺怏w。

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