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龍圖騰網獲悉重慶吉芯科技有限公司申請的專利曲率校正帶隙基準電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116860059B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310754656.1，技術領域涉及：G05F1/567；該發明授權曲率校正帶隙基準電路是由王翊舟;劉璐;倪亞波;彭嘉豪;馬乾設計研發完成，并于2023-06-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本曲率校正帶隙基準電路在說明書摘要公布了：本發明提供一種曲率校正帶隙基準電路，所述曲率校正帶隙基準電路包括帶隙基準模塊、低溫曲率校正模塊及高溫曲率校正模塊，在帶隙基準模塊通過正溫度系數電壓和負溫度系數電壓的疊加產生帶隙基準電壓的基礎上，通過低溫曲率校正模塊對正溫度系數電壓進行補償調節，能校正帶隙基準電壓的低溫曲率，通過高溫曲率校正模塊對正溫度系數電壓進行補償調節，能校正帶隙基準電壓的高溫曲率，能進一步降低帶隙基準電壓的溫漂系數，提升了帶隙基準電壓的溫度穩定性；引入調節電阻來平衡低溫和高溫的曲率校正補償程度，進一步提高了性能；同時，本發明所提出的曲率校正帶隙基準電路可應用于較低的電源電壓環境中，適用于28nm及以下的先進CMOS工藝。

本發明授權曲率校正帶隙基準電路在權利要求書中公布了：1.一種曲率校正帶隙基準電路，其特征在于，包括： 帶隙基準模塊，通過正溫度系數電壓和負溫度系數電壓的疊加，產生并輸出帶隙基準電壓；所述帶隙基準模塊包括帶隙基準單元、輸出驅動單元及頻率補償單元，所述帶隙基準單元產生并輸出所述帶隙基準電壓，所述輸出驅動單元與所述帶隙基準單元連接，所述輸出驅動單元為所述帶隙基準單元提供驅動電流，所述頻率補償單元與所述帶隙基準單元連接，所述頻率補償單元對所述帶隙基準單元的輸出頻率進行補償調節；所述帶隙基準單元包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一NPN三極管、第二NPN三極管及運算放大器，所述第一NPN三極管的發射極經依次串接的所述第一電阻及所述第二電阻后接地，所述第一NPN三極管的集電極經串接的所述第三電阻后接所述第一NPN三極管的基極，所述第二NPN三極管的發射極接所述第一電阻與所述第二電阻的公共端，所述第二NPN三極管的集電極經串接的所述第四電阻后接所述第一NPN三極管的基極，所述第二NPN三極管的基極接所述第一NPN三極管的基極，所述運算放大器的同相輸入端接所述第一NPN三極管的集電極，所述運算放大器的反相輸入端接所述第二NPN三極管的集電極，所述第一NPN三極管的基極輸出所述帶隙基準電壓； 低溫曲率校正模塊，與所述帶隙基準模塊連接，對所述正溫度系數電壓進行補償調節，以校正所述帶隙基準電壓的低溫曲率；所述低溫曲率校正模塊包括第七電阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻及第三NPN三極管，所述第一NPN三極管的基極經依次串接的所述第七電阻及所述第八電阻后接地，所述第三NPN三極管的集電極經串接的所述第九電阻后接所述第一NPN三極管的基極，所述第三NPN三極管的集電極還接所述第一NPN三極管的發射極，所述第三NPN三極管的基極接所述第七電阻與所述第八電阻的公共端，所述第三NPN三極管的發射極經串接的所述第十電阻后接地； 高溫曲率校正模塊，與所述帶隙基準模塊連接，對所述正溫度系數電壓進行補償調節，以校正所述帶隙基準電壓的高溫曲率；所述高溫曲率曲率校正模塊包括第四NPN三極管及第五NPN三極管，所述第四NPN三極管的集電極接所述第一NPN三極管的集電極，所述第四NPN三極管的發射極接所述第一NPN三極管的基極，所述第四NPN三極管的基極接所述第四NPN三極管的發射極，所述第五NPN三極管的集電極接所述第二NPN三極管的集電極，所述第五NPN三極管的發射極接所述第一NPN三極管的基極，所述第五NPN三極管的基極接所述第五NPN三極管的發射極。

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