昆明物理研究所唐利斌獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉昆明物理研究所申請的專利基于PEDOT:PSS/PVK/WO3有機-無機異質結的紫外光電探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116963512B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310895329.8，技術領域涉及：H10K30/20；該發明授權基于PEDOT:PSS/PVK/WO3有機-無機異質結的紫外光電探測器及其制備方法是由唐利斌;賈夢涵;才玉華;田品設計研發完成，并于2023-07-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于PEDOT:PSS/PVK/WO3有機-無機異質結的紫外光電探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：基于PVKWO3有機?無機異質結的紫外光電探測器及其制備方法，涉及一種有機?無機雜化的光電探測器，尤其是一種低溫（≤150℃）制備的具有ITOPEDOT:PSSPVKWO3Al垂直結構的紫外光電探測器。光電探測器從下至上依次為玻璃襯底、ITO電極層、PEDOT:PSS空穴傳輸層、PVK薄膜層、WO3薄膜層和Al電極層。探測器的制備方法包括前期WO3薄膜的制備、PVK和PEDOT:PSS薄膜的旋涂工藝以及后期器件結構的設計與調控。該探測器對紫外光表現出良好的選擇特性，且具有優異的器件性能。
本發明授權基于PEDOT:PSS/PVK/WO3有機-無機異質結的紫外光電探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.基于PEDOT:PSSPVKWO3有機-無機異質結的紫外光電探測器，其特征在于該探測器從下至上分別為玻璃襯底、ITO電極層、PEDOT:PSS空穴傳輸層、PVK薄膜層、WO3薄膜層和Al電極層； 所述PEDOT:PSS空穴傳輸層厚度為43nm； 所述PVK薄膜層厚度為65nm； 所述WO3薄膜層厚度為120nm。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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