深圳智芯源半導體有限公司楊輝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳智芯源半導體有限公司申請的專利基于碳化硅Mos管的電源驅動方法及系統獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN118316284B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202410405914.X,技術領域涉及:H02M1/08;該發明授權基于碳化硅Mos管的電源驅動方法及系統是由楊輝;鄧偉設計研發完成,并于2024-04-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于碳化硅Mos管的電源驅動方法及系統在說明書摘要公布了:本發明涉及電源驅動技術領域,揭露了一種基于碳化硅Mos管的電源驅動方法及系統,所述方法包括:提取碳化硅Mos管的歷史驅動數據中預設指標特征進行特征篩選,得到目標指標特征;對目標指標特征對應的目標指標數據進行指標數據融合,得到每個目標指標特征的融合數據;根據電源參數計算碳化硅Mos管的電源功耗以及開關功耗,根據電源功耗以及開關功耗構建總功耗;根據融合數據生成參數粒子總群,根據總功耗對參數粒子種群進行差分優化,得到優化參數總群;根據優化參數總群確定指標參數數據,根據指標參數數據對碳化硅Mos管對應的電源進行電源驅動。本發明可以提高電源驅動的準確度。
本發明授權基于碳化硅Mos管的電源驅動方法及系統在權利要求書中公布了:1.一種基于碳化硅Mos管的電源驅動方法,其特征在于,所述方法包括: 獲取碳化硅Mos管的歷史驅動數據及電源參數,提取所述歷史驅動數據中預設指標特征的指標特征數據,根據所述指標特征數據對所述指標特征進行特征篩選,得到目標指標特征;其中,所述根據所述指標特征數據對所述指標特征進行特征篩選,得到目標指標特征,包括:將所述指標特征數據劃分為少數類數據集及多數類數據集,計算所述少數類數據集中每個少數類數據的近鄰數據;根據所述近鄰數據及所述多數類數據集對所述少數類數據集進行線性插值,得到所述指標特征數據對應的插值數據;根據所述插值數據生成所述指標特征數據的插值特征數據;根據所述插值特征數據計算每個指標特征數據的指標特征權重;根據所述指標特征權重從所述指標特征中篩選出目標指標特征; 在所述歷史驅動數據中提取所述目標指標特征對應的目標指標數據,對所述目標指標數據進行指標數據融合,得到每個所述目標指標特征的融合數據; 根據所述電源參數計算所述碳化硅Mos管的電源功耗以及所述碳化硅Mos管的開關功耗,根據所述電源功耗以及所述開關功耗構建總功耗; 利用如下公式計算所述碳化硅Mos管的電源功耗以及所述碳化硅Mos管的開關功耗: 其中,P1表示電源功耗,Ia、Ib分別表示所述電源參數中電源工作電流、電源電容的工作電流,Ra、Rb分別表示所述電源參數中電源以及電源電容的等效內阻,P2表示開關功耗,H表示所述電源參數中的碳化硅Mos管開關頻率,U表示所述電源參數中輸出端的電解電容電壓,IL表示所述電源參數中的電感電流、tr、tf分別表示所述電源參數中的開關上升躍遷時間及開關下降躍遷時間; 根據所述融合數據生成參數粒子總群,根據所述總功耗對所述參數粒子總群進行差分優化,得到優化參數總群; 根據所述優化參數總群確定所述碳化硅Mos管的指標參數數據,根據所述指標參數數據對所述碳化硅Mos管對應的電源進行電源驅動。
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