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龍圖騰網獲悉長飛先進半導體(武漢)有限公司申請的專利一種半導體器件、制備方法、功率模塊、轉換電路和車輛獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118943188B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410991924.6，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權一種半導體器件、制備方法、功率模塊、轉換電路和車輛是由彭安賢;史田超;鄧輝設計研發完成，并于2024-07-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件、制備方法、功率模塊、轉換電路和車輛在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件、制備方法、功率模塊、轉換電路和車輛，半導體器件包括：襯底；半導體外延層，位于襯底的一側；柵極溝槽，位于半導體外延層遠離襯底一側的表面；溝槽柵結構，位于柵極溝槽中；第一電極，位于襯底遠離半導體外延層的一側；第二電極，位于半導體外延層遠離襯底一側的表面，且位于溝槽柵結構至少一側；第三電極，內設于半導體外延層中，且位于溝槽柵結構的底部；其中，半導體外延層中包括與溝槽柵結構接觸的第一體區和第二體區；第一體區用于形成導通第一電極與第二電極的第一通道；第二體區用于形成導通第一電極與第三電極的第二通道。本發明實施例提供的技術方案，降低了導通電阻的同時，提高了器件的擊穿電壓。

本發明授權一種半導體器件、制備方法、功率模塊、轉換電路和車輛在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 襯底； 半導體外延層，位于所述襯底的一側； 柵極溝槽，位于所述半導體外延層遠離所述襯底一側的表面； 溝槽柵結構，位于所述柵極溝槽中，所述溝槽柵結構包括多晶硅柵極以及位于所述多晶硅柵極與所述柵極溝槽之間的柵極絕緣層； 第一電極，位于所述襯底遠離所述半導體外延層的一側； 第二電極，位于所述半導體外延層遠離所述襯底一側的表面，且位于所述溝槽柵結構的至少一側； 第三電極，內設于所述半導體外延層中，且位于所述溝槽柵結構的底部；所述第三電極用于降低柵極溝槽底部和底角處的電場； 其中，所述半導體外延層中包括與所述溝槽柵結構接觸的第一體區和第二體區；所述第一體區用于形成導通所述第一電極與所述第二電極的第一通道；所述第二體區用于形成導通所述第一電極與所述第三電極的第二通道； 所述半導體器件還包括介質隔離層；所述介質隔離層位于所述柵極溝槽內且位于所述第三電極與所述多晶硅柵極之間； 在柵極溝槽的底部具有柵極絕緣層的情況下，所述第三電極的頂面與柵極絕緣層接觸，所述介質隔離層的厚度大于位于柵極溝槽底部的柵極絕緣層的厚度；在所述柵極溝槽的底部不具有柵極絕緣層的情況下，所述第三電極的頂面與所述介質隔離層接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長飛先進半導體(武漢)有限公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區高新大道999號武漢未來科技城龍山創新園一期B4棟18樓546室(自貿區武漢片區)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。