世瞳微電子科技有限公司魏燕芳獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉世瞳微電子科技有限公司申請的專利單光子雪崩光電二極管、以及包括其的電子裝置獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223274444U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202421817476.X，技術領域涉及：H10F30/225；該實用新型單光子雪崩光電二極管、以及包括其的電子裝置是由魏燕芳;陳家誠;鞠國豪;李強設計研發完成，并于2024-07-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本單光子雪崩光電二極管、以及包括其的電子裝置在說明書摘要公布了：本實用新型提供了一種單光子雪崩光電二極管、以及包括其的電子裝置，其中，單光子雪崩光電二極管包括：P型襯底層，N型埋層，設置在P型襯底層之上，P型外延層，設置在N型埋層之上，P型阱，設置在P型外延層中，P型阱上表面低于P型外延層上表面，P型阱下表面與N型埋層接觸，P型阱與N型埋層形成PN結，P+區，設置在P型外延層中，P+區的下表面高于N型埋層的上表面，P+區環繞P型阱，N+區，與N型埋層接觸，N+區的下表面在N型埋層的上表面之下，N+區環繞P型阱。
本實用新型單光子雪崩光電二極管、以及包括其的電子裝置在權利要求書中公布了：1.一種單光子雪崩光電二極管，其特征在于，包括： P型襯底層， N型埋層，設置在P型襯底層之上， P型外延層，設置在N型埋層之上， P型阱，設置在P型外延層中，所述P型阱上表面低于P型外延層上表面，所述P型阱下表面與N型埋層接觸，所述P型阱與N型埋層形成PN結， P+區，設置在P型外延層中，所述P+區的下表面高于N型埋層的上表面，所述P+區環繞所述P型阱， N+區，與N型埋層接觸，N+區的下表面在N型埋層的上表面之下，所述N+區環繞P型阱。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人世瞳微電子科技有限公司，其通訊地址為：200135 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區環湖西二路888C樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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