江西贛鋒鋰電科技股份有限公司戈志敏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西贛鋒鋰電科技股份有限公司申請的專利一種功率MOS封裝結構獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223273272U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422029672.7，技術領域涉及：H01L23/31；該實用新型一種功率MOS封裝結構是由戈志敏;黃文杰;趙威然;李暉;武文濤設計研發完成，并于2024-08-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種功率MOS封裝結構在說明書摘要公布了：本實用新提供了一種功率MOS封裝結構：包括：芯片；源極引腳、柵極引腳和漏極引腳；封裝框架，包裹在所述芯片和所述源極引腳、所述柵極引腳和所述漏極引腳的外部；第一鍵合線，連接所述漏極引腳和所述芯片；所述封裝框架內設置有一個獨立的空腔，所述鍵合線的至少一部分位于所述空腔內。本實用新型的MOS封裝結構由于鍵合線位于一個獨立的空腔中，具有足夠的空間容納熔斷后的鍵合線，鍵合線不會發現發生熔斷后再重新電連接的現象，整體提升了MOS封裝結構的電連接的安全性。
本實用新型一種功率MOS封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種功率MOS封裝結構，包括： 芯片； 源極引腳、柵極引腳和漏極引腳； 封裝框架，包裹在所述芯片和所述源極引腳、所述柵極引腳和所述漏極引腳的外部； 第一鍵合線，連接所述漏極引腳和所述芯片；其特征在于，所述封裝框架內設置有一個獨立的空腔，所述鍵合線的至少一部分位于所述空腔內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西贛鋒鋰電科技股份有限公司，其通訊地址為：338000 江西省新余市高新區陽光大道2551號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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