晶能光電股份有限公司付羿獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉晶能光電股份有限公司申請的專利一種氮化鎵基發光二極管外延結構及其制備方法、LED芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120152453B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510614927.2，技術領域涉及：H10H20/80；該發明授權一種氮化鎵基發光二極管外延結構及其制備方法、LED芯片是由付羿;王瓊;周名兵;郭嘯;張濤;涂逵設計研發完成，并于2025-05-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種氮化鎵基發光二極管外延結構及其制備方法、LED芯片在說明書摘要公布了：本發明提供了一種氮化鎵基發光二極管外延結構及其制備方法、LED芯片，在外延結構中分別針對電子彈道輸運、量子阱中的量子斯塔克效應結構導致電子加速、熱電子躍遷的情況分別設計了多級電子?聲子散射結構、多量子阱壘層中的量子阱層的禁帶寬度逐級遞增、InGaN臺階結構來抑制不同情況下的電子泄漏，有效提高了大電流下的外量子效率。
本發明授權一種氮化鎵基發光二極管外延結構及其制備方法、LED芯片在權利要求書中公布了：1.一種氮化鎵基發光二極管外延結構，其特征在于，應用于大電流密度的LED芯片，包括：依次形成于生長襯底表面的緩沖層、非故意摻雜GaN層、n型GaN電流擴展層、多級電子-聲子散射結構、多量子阱壘層及p型電子阻擋層、p型GaN電流擴展層、p型歐姆接觸層； 所述多級電子-聲子散射結構由周期性的InGaN層和GaN層堆疊組成，周期數為3-5；朝向多量子阱壘層的方向上，各InGaN層的導帶能級逐級遞減； 所述多量子阱壘層由周期性的InGaN量子阱層和GaN量子壘層堆疊組成；朝向p型電子阻擋層的方向上，各InGaN量子阱層的禁帶寬度逐級遞增； 在多量子阱壘層中還形成有InGaN臺階結構，InGaN臺階結構位于靠近p型電子阻擋層的最后一個周期的量子阱層和量子壘層之間，由朝向p型電子阻擋層的方向上導帶能級逐級遞增的多個InGaN層組成。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶能光電股份有限公司，其通訊地址為：330096 江西省南昌市高新開發區艾溪湖北路699號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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