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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海川土微電子有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種均勻開(kāi)啟的GGNMOS結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120187109B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202510656696.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D89/60；該發(fā)明授權(quán)一種均勻開(kāi)啟的GGNMOS結(jié)構(gòu)是由鄭瑞;沈國(guó)平;房祥梅;陳東坡設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種均勻開(kāi)啟的GGNMOS結(jié)構(gòu)在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種均勻開(kāi)啟的GGNMOS結(jié)構(gòu)，包括P型well摻雜類(lèi)型阱區(qū)、環(huán)形P型重?fù)诫s有源區(qū)、環(huán)形N型重?fù)诫s有源區(qū)、N型well摻雜類(lèi)型阱區(qū)、條形N型重?fù)诫s有源區(qū)、環(huán)形多晶硅柵和中間P型重?fù)诫s有源區(qū)。環(huán)形P型重?fù)诫s有源區(qū)注入P型well摻雜類(lèi)型阱區(qū)的邊緣；環(huán)形N型重?fù)诫s有源區(qū)位于P型重?fù)诫s有源區(qū)的內(nèi)側(cè)，且和P型重?fù)诫s有源區(qū)隔離設(shè)置；Nwell呈環(huán)形并位于襯底和環(huán)形N型重?fù)诫s有源區(qū)之間；多個(gè)條形N型重?fù)诫s有源區(qū)被環(huán)形N型重?fù)诫s有源區(qū)包圍；每一中間P型重?fù)诫s有源區(qū)對(duì)應(yīng)注入條形N型重?fù)诫s有源區(qū)的中部。本發(fā)明的GGNMOS結(jié)構(gòu)可以較容易地?fù)舸┊a(chǎn)生雪崩電流，又可以迅速進(jìn)入均勻的開(kāi)啟狀態(tài)，解決了現(xiàn)有的多指GGNMOS導(dǎo)通不均勻的問(wèn)題。

本發(fā)明授權(quán)一種均勻開(kāi)啟的GGNMOS結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種均勻開(kāi)啟的GGNMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 形成于襯底上的P型well摻雜類(lèi)型阱區(qū)； 環(huán)形P型重?fù)诫s有源區(qū)，所述環(huán)形P型重?fù)诫s有源區(qū)注入所述P型well摻雜類(lèi)型阱區(qū)的邊緣； 環(huán)形N型重?fù)诫s有源區(qū)，所述環(huán)形N型重?fù)诫s有源區(qū)注入所述P型well摻雜類(lèi)型阱區(qū)的邊緣，并位于所述環(huán)形P型重?fù)诫s有源區(qū)的內(nèi)側(cè)，且和所述環(huán)形P型重?fù)诫s有源區(qū)隔離設(shè)置； N型well摻雜類(lèi)型阱區(qū)，所述N型well摻雜類(lèi)型阱區(qū)呈環(huán)形注入所述P型well摻雜類(lèi)型阱區(qū)內(nèi)，并位于所述襯底和所述環(huán)形N型重?fù)诫s有源區(qū)之間； 多個(gè)條形N型重?fù)诫s有源區(qū)，多個(gè)所述條形N型重?fù)诫s有源區(qū)間隔注入所述P型well摻雜類(lèi)型阱區(qū)內(nèi)，并被所述環(huán)形N型重?fù)诫s有源區(qū)包圍，且所述環(huán)形N型重?fù)诫s有源區(qū)和所述多個(gè)條形N型重?fù)诫s有源區(qū)隔離設(shè)置； 多個(gè)環(huán)形多晶硅柵，多個(gè)所述環(huán)形多晶硅柵間隔形成于所述P型well摻雜類(lèi)型阱區(qū)的頂端，且每一所述環(huán)形多晶硅柵的兩縱側(cè)邊對(duì)應(yīng)位于相鄰的兩所述條形N型重?fù)诫s有源區(qū)之間； 多個(gè)中間P型重?fù)诫s有源區(qū)，每一所述中間P型重?fù)诫s有源區(qū)對(duì)應(yīng)注入被一所述環(huán)形多晶硅柵包圍的所述條形N型重?fù)诫s有源區(qū)的中部，且與所述條形N型重?fù)诫s有源區(qū)隔離設(shè)置，所述中間P型重?fù)诫s有源區(qū)通過(guò)金屬接觸孔接地設(shè)置，以降低中間寄生NPN基區(qū)到地的寄生電阻。

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