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龍圖騰網獲悉上海川土微電子有限公司申請的專利一種襯底觸發均勻開啟的NMOS結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120201744B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510676835.7，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權一種襯底觸發均勻開啟的NMOS結構是由鄭瑞;沈國平;房祥梅;陳東坡設計研發完成，并于2025-05-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種襯底觸發均勻開啟的NMOS結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種襯底觸發均勻開啟的NMOS結構，包括P型襯底、第一P型well摻雜類型阱區、多個N型重摻雜有源區、多晶硅柵、邊緣P型重摻雜有源區、第二P型well摻雜類型阱區、P型高壓摻雜well阱區和P型深摻雜阱區；邊緣P型重摻雜有源區、第二P型well摻雜類型阱區和P型高壓摻雜well阱區從上到下依次注入P型襯底內，且均呈環形結構設置，邊緣P型重摻雜有源區包圍環形的N型重摻雜有源區；P型深摻雜阱區注入P型襯底內，且其邊緣延伸至P型高壓摻雜well阱區的底端。本發明通過特定的摻雜結構和電阻網絡分布，解決了現有的多指GGNMOS結構導通不均勻的問題。

本發明授權一種襯底觸發均勻開啟的NMOS結構在權利要求書中公布了：1.一種襯底觸發均勻開啟的NMOS結構，包括P型襯底、第一P型well摻雜類型阱區、多個N型重摻雜有源區和多晶硅柵，所述第一P型well摻雜類型阱區注入于所述P型襯底內，所述多個N型重摻雜有源區間隔注入所述第一P型well摻雜類型阱區內，所述多個多晶硅柵設置于所述第一P型well摻雜類型阱區上，且其側邊和多個條形的所述N型重摻雜有源區交錯設置，其特征在于，還包括邊緣P型重摻雜有源區、第二P型well摻雜類型阱區、P型高壓摻雜well阱區和P型深摻雜阱區； 所述邊緣P型重摻雜有源區、所述第二P型well摻雜類型阱區和所述P型高壓摻雜well阱區從上到下依次注入所述P型襯底內，且均呈環形結構設置，所述邊緣P型重摻雜有源區包圍環形的所述N型重摻雜有源區，其中，所述邊緣P型重摻雜有源區和所述環形的所述N型重摻雜有源區隔離設置； 所述P型深摻雜阱區注入所述P型襯底內，所述P型深摻雜阱區和所述第一P型well摻雜類型阱區之間形成一層P型襯底間隔，且其邊緣延伸至所述P型高壓摻雜well阱區的底端。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海川土微電子有限公司，其通訊地址為：201702 上海市青浦區徐涇鎮高涇路599號18幢四層401室、五層501室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。