西湖大學;中國科學院上海硅酸鹽研究所周曼曼獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西湖大學;中國科學院上海硅酸鹽研究所申請的專利一種氧化鎢刻蝕方法、半導體結構及芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120221414B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510694919.3，技術領域涉及：H01L21/465；該發明授權一種氧化鎢刻蝕方法、半導體結構及芯片是由周曼曼;宋春燕;李西軍;曹遜;黃愛彬;李冉冉設計研發完成，并于2025-05-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種氧化鎢刻蝕方法、半導體結構及芯片在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體制造技術領域，公開了一種氧化鎢刻蝕方法、半導體結構及芯片，其中，所述方法包括：在襯底上形成氧化鎢薄膜；在氧化鎢薄膜上形成具有目標圖形的掩膜層；采用ICP刻蝕設備中的混合氣體對具備掩膜層的氧化鎢薄膜進行刻蝕；在ICP刻蝕設備中，混合氣體包括三氟甲烷和氬氣，三氟甲烷在混合氣體中的占比范圍為22.5%至74.1%，混合氣體的流量為135?155sccm，ICP功率與偏置功率的比值范圍為1.53:1至3.3:1，氧化鎢刻蝕結構的深寬比范圍為10:1至23：1，氧化鎢刻蝕結構的側壁傾斜角為40?90度，解決了相關技術中難以實現納米級線寬高深寬比的氧化鎢刻蝕結構的技術問題。
本發明授權一種氧化鎢刻蝕方法、半導體結構及芯片在權利要求書中公布了：1.一種氧化鎢刻蝕方法，其特征在于，所述方法包括： 在襯底上形成氧化鎢薄膜； 在所述氧化鎢薄膜上形成具有目標圖形的掩膜層； 采用ICP刻蝕設備中的混合氣體對具備所述掩膜層的所述氧化鎢薄膜進行刻蝕，以形成與所述目標圖形匹配的氧化鎢刻蝕結構；在所述ICP刻蝕設備中，所述混合氣體由三氟甲烷和氬氣組成，所述三氟甲烷在所述混合氣體中的占比范圍為22.5%至74.1%，所述混合氣體的流量為135-155sccm，ICP功率與偏置功率的比值范圍為1.53:1至3.3:1，所述氧化鎢刻蝕結構的深寬比范圍為10:1至23：1，所述氧化鎢刻蝕結構的側壁傾斜角為40-90度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西湖大學;中國科學院上海硅酸鹽研究所，其通訊地址為：310024 浙江省杭州市西湖區轉塘街道石龍山街18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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