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龍圖騰網(wǎng)獲悉季華實驗室申請的專利一種SiC外延垂直反應室結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120250148B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510717181.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B25/08；該發(fā)明授權(quán)一種SiC外延垂直反應室結(jié)構(gòu)是由劉欣;彭定強;謝利華設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-05-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種SiC外延垂直反應室結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本申請涉及SiC外延技術(shù)領(lǐng)域，主要涉及一種SiC外延垂直反應室結(jié)構(gòu)，包括：襯管，形狀為兩端開口的圓筒結(jié)構(gòu)，一端用于供工藝氣體進入，另一端用于供工藝氣體流出；工藝管，形狀為僅有一端開口的套筒結(jié)構(gòu)，開口向下套設(shè)在襯管外，工藝管與襯管之間形成供工藝氣體通過的夾層；晶圓舟架，設(shè)置在襯管內(nèi)，用于承載多層晶圓；供氣組件，用于向襯管輸送工藝氣體；加熱組件，設(shè)置在工藝管外，用于加熱晶圓舟架。本申請通過將能承載多層晶圓的晶圓舟架設(shè)置在襯管內(nèi)，供氣組件向襯管通入工藝氣體，加熱組件加熱襯管，可在多層晶圓上進行外延SiC，工藝氣體再從襯管和工藝管之間的夾層順利流出。該結(jié)構(gòu)可顯著提升SiC外延的生產(chǎn)效率并降低外延成本。

本發(fā)明授權(quán)一種SiC外延垂直反應室結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SiC外延垂直反應室結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 襯管（100），形狀為兩端開口的圓筒結(jié)構(gòu)，一端用于供工藝氣體進入，另一端用于供工藝氣體流出； 工藝管（200），形狀為僅有一端開口的套筒結(jié)構(gòu)，開口向下套設(shè)在所述襯管（100）外，所述工藝管（200）與所述襯管（100）之間形成供工藝氣體通過的夾層； 晶圓舟架（300），設(shè)置在所述襯管（100）內(nèi)，用于承載多層晶圓； 供氣組件，用于向所述襯管（100）輸送工藝氣體； 加熱組件（400），設(shè)置在所述工藝管（200）外，用于加熱所述晶圓舟架（300）； 所述晶圓舟架（300）包括： 底板（310），形狀為圓盤結(jié)構(gòu)； 頂板（320），形狀為圓盤結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述底板（310）的上方； 立柱（330），所述立柱（330）的內(nèi)側(cè)上沿延伸方向均勻形成多個晶圓放置槽（331），所述立柱（330）的底端與所述底板（310）可拆卸連接，所述立柱（330）的頂端與所述頂板（320）可拆卸連接； 所述底板（310）和所述頂板（320）的中部開設(shè)有供工藝氣體通過的通孔； 所述SiC外延垂直反應室結(jié)構(gòu)還包括旋轉(zhuǎn)組件，用于驅(qū)動所述晶圓舟架（300）沿所述底板（310）的周向旋轉(zhuǎn)； 所述晶圓放置槽（331）包括用于放置晶圓的放置面（332），所述放置面（332）靠近晶圓中部的一端設(shè)置有向下傾斜的第一斜面（333），所述放置面（332）遠離晶圓中部的一端設(shè)置有向上傾斜的第二斜面（334），所述第二斜面（334）的頂端用于與晶圓的底面邊緣相抵接。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人季華實驗室，其通訊地址為：528200 廣東省佛山市南海區(qū)桂城街道環(huán)島南路28號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。