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龍圖騰網(wǎng)獲悉江蘇神州半導(dǎo)體科技有限公司申請的專利一種遠(yuǎn)程等離子源腔體氧化膜穩(wěn)定性提升方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120376394B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510837238.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該發(fā)明授權(quán)一種遠(yuǎn)程等離子源腔體氧化膜穩(wěn)定性提升方法是由潘小剛;顧小軍;金玉亮;朱國俊設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種遠(yuǎn)程等離子源腔體氧化膜穩(wěn)定性提升方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于遠(yuǎn)程等離子體源技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種遠(yuǎn)程等離子源腔體氧化膜穩(wěn)定性提升方法，包括：將經(jīng)過表面預(yù)處理的鋁材進行高溫水蒸氣封孔處理；切削加工去除表面的水鋁石層；對解離腔體進行混合氣體鈍化并循環(huán)預(yù)設(shè)次數(shù)，混合氣體鈍化包括預(yù)鈍化、水合鈍化和協(xié)同鈍化。本發(fā)明首先對氧化層進行高溫水蒸氣封孔，然后對表面水鋁石層進行切削，增加表面活性位點數(shù)量利于OH鍵吸附；之后進行預(yù)鈍化、水合鈍化和協(xié)同鈍化并循環(huán)預(yù)設(shè)次數(shù)，保證OH鍵的穩(wěn)定性，提升RPS腔體的使用壽命；利用隨機森林算法確定混合氣體比例，通過影響氧化膜層表面OH鍵覆蓋密度，降低RPS功率運行窗口下限，滿足FCVD工藝的沉積速率需求。

本發(fā)明授權(quán)一種遠(yuǎn)程等離子源腔體氧化膜穩(wěn)定性提升方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種遠(yuǎn)程等離子源腔體氧化膜穩(wěn)定性提升方法，其特征在于，包括： S1.將經(jīng)過表面預(yù)處理的鋁材進行高溫水蒸氣封孔處理，消耗原有氧化膜生成水鋁石層； S2.將S1所得制品進行切削加工，去除表面的水鋁石層； S3.將S2所得制品組裝形成解離腔體，進行混合氣體鈍化并循環(huán)預(yù)設(shè)次數(shù)，之后進行冷卻、干燥；所述混合氣體鈍化包括依次進行的預(yù)鈍化、水合鈍化和協(xié)同鈍化， 所述預(yù)鈍化為：遠(yuǎn)程等離子體源開啟，通入點火氣體和氧氣，形成初始氧化層； 所述水合鈍化為：遠(yuǎn)程等離子體源關(guān)閉，通入水蒸氣進行水合處理，在初始氧化層表面生成OH鍵； 所述協(xié)同鈍化為：遠(yuǎn)程等離子體源開啟，同時通入點火氣體、輔助催化氣體和氫氣，點火氣體和輔助催化氣體吹掃弱化的OH鍵，氫氣和殘留氧原子生成OH鍵。

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