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龍圖騰網(wǎng)獲悉福州大學申請的專利一種具有NiO場限環(huán)和浮空場板復合終端結構的P-NiO/N-Ga₂O₃異質結二極管及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN120358756B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510837829.5，技術領域涉及：H10D8/00；該發(fā)明授權一種具有NiO場限環(huán)和浮空場板復合終端結構的P-NiO/N-Ga₂O₃異質結二極管及其制備方法是由張海忠;何燁;許曉銳;陳得森設計研發(fā)完成，并于2025-06-23向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種具有NiO場限環(huán)和浮空場板復合終端結構的P-NiO/N-Ga₂O₃異質結二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種具有NiO場限環(huán)和浮空場板復合終端結構的P?NiON?Ga2O3異質結二極管及其制備方法，包括自下而上依次層疊設置陰極金屬層、高摻雜N型Ga2O3襯底、低摻雜N型Ga2O3外延層、氧化物介質層、P型NiO層、若干NiO場限環(huán)、陽極金屬及陽極場板、若干浮空金屬場板、鈍化層；本技術方案旨在提供適用于Ga2O3功率器件的終端結構以使得Ga2O3功率器件具有較高的擊穿電壓。本發(fā)明的核心在于借助NiO場限環(huán)和浮空場板復合終端結構顯著提高器件擊穿電壓，同時降低對加工工藝的依賴性。

本發(fā)明授權一種具有NiO場限環(huán)和浮空場板復合終端結構的P-NiO/N-Ga₂O₃異質結二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有NiO場限環(huán)和浮空場板復合終端結構的P-NiON-Ga2O3異質結二極管，其特征在于，包括自下而上依次層疊設置陰極金屬層1、高摻雜N型Ga2O3襯底2、低摻雜N型Ga2O3外延層3、氧化物介質層4、P型NiO層51、若干NiO場限環(huán)52、陽極金屬及陽極場板61、若干浮空金屬場板62、鈍化層7； 所述的陰極金屬層1沉積在高摻雜N型Ga2O3襯底2的下表面；所述的氧化物介質層4等間距地分布在低摻雜N型Ga2O3外延層3的部分表面上；所述的P型NiO層51及若干NiO場限環(huán)52構成第一組合部5；所述第一組合部5等間距地分布在低摻雜N型Ga2O3外延層3的部分表面上，并與氧化物介質層4形成交替分布的結構；所述的陽極金屬及陽極場板61覆蓋在P型NiO層51的全部表面以及氧化物介質層4的部分表面上，若干浮空金屬場板62等間距地分布在氧化物介質層4的部分表面以及NiO場限環(huán)52的全部表面上，構成第二組合部6；所述的鈍化層7覆蓋在氧化物介質層4和若干浮空金屬場板62的全部表面以及陽極金屬及陽極場板61的部分表面上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人福州大學，其通訊地址為：362251 福建省泉州市晉江市金井鎮(zhèn)水城路1號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。