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龍圖騰網獲悉山東大學申請的專利一種基于動態參數刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120356825B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510857652.5，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權一種基于動態參數刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法是由鐘宇;苑登文;韓吉勝;徐現剛設計研發完成，并于2025-06-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于動態參數刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于動態參數刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法，屬于微電子制作技術領域，在碳化硅襯底上沉積氧化硅層，勻膠顯影形成光刻膠阻擋層；干法刻蝕獲得垂直形貌的氧化硅層掩膜，去除表面光刻膠阻擋層；對襯底進行第一次垂直性刻蝕，更換為含氫元素刻蝕氣體進行第二次優化刻蝕處理；在第二次優化基礎上，固定含氫刻蝕氣體流量，改變剩余種類氣體比例并逐漸減小偏置功率，進行第三、四次優化刻蝕處理；去除剩余氧化硅層；在晶圓背面形成金屬薄膜；退火處理，獲得高質量刻蝕表面和圓弧狀溝槽形貌。該方法簡便易行，刻蝕表面質量高，界面陷阱數量少，底部溝槽形貌良好呈現圓弧狀，避免了電場集中，器件電學性能更加優異。

本發明授權一種基于動態參數刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法在權利要求書中公布了：1.一種基于動態參數刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法，其特征在于，步驟如下： S1：在碳化硅襯底上，采用等離子體化學氣相沉積方式沉積氧化層； S2：在氧化層上旋涂光刻膠，經過曝光、顯影、硬烘，形成光刻膠阻擋層； S3：對氧化層進行干法刻蝕，形成氧化層阻擋層； S4：氧等離子體干法去除氧化層上剩余的光刻膠阻擋層； S5：以刻蝕氣體組合1采用電感耦合等離子刻蝕機方式刻蝕碳化硅，形成初始垂直碳化硅溝槽形貌，刻蝕深度=h1； S6：更換為含氫元素的混合刻蝕氣體組合2，在S5基礎上，對氧化硅-碳化硅樣品進行初次優化刻蝕，刻蝕深度=h2； S7：在S6基礎上，固定含氫刻蝕氣體流量不變，減小刻蝕偏置功率并調整其他氣體比例，對氧化層-碳化硅樣品依次進行第二、第三次優化刻蝕，刻蝕深度分別為h3，h4； S8：通過濕法酸洗去除剩余氧化層阻擋層； S9：在碳化硅襯底背面，通過物理氣相沉積方式沉積金屬層； S10：將溝槽狀碳化硅-金屬樣品在氮基氛圍下高溫退火處理； S11：退火后的樣品依次在濃硫酸和過氧化氫、氫氟酸和去離子水中清洗。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東大學，其通訊地址為：250100 山東省濟南市歷城區山大南路27號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。