中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司鄭二虎獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114267674B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010975880.X，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體結構及其形成方法是由鄭二虎;紀世良;張冬平設計研發完成，并于2020-09-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底包括第一隔離區；在所述基底上形成多個柵極結構以及中間層，所述中間層還位于柵極結構側壁面，且至少2個柵極結構橫跨所述第一隔離區；刻蝕第一隔離區上的柵極結構及相鄰柵極結構間的中間層，在中間層內形成貫穿第一隔離區上的多個柵極結構的第一開口，刻蝕所述第一隔離區上的柵極結構及相鄰柵極結構間的中間層的工藝中，對所述柵極結構和中間層的刻蝕選擇比在預設范圍內。從而，改善了半導體結構的性能和可靠性。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括第一隔離區； 位于基底上的多個柵極結構，至少2個柵極結構橫跨所述第一隔離區，并且，在所述第一隔離區上，橫跨所述第一隔離區的2個以上柵極結構中的每個柵極結構內分別具有貫穿所述柵極結構的第一隔離槽； 位于所述第一隔離區表面的第二介質結構，所述第二介質結構還位于多個所述柵極結構側壁面、以及所述第一隔離槽內； 其中，所述第二介質結構是在刻蝕去除柵極結構之間的中間層以及第一隔離區上的柵極結構后所形成開口內形成的；所述中間層位于相鄰所述柵極結構之間且覆蓋所述柵極結構的側壁面；刻蝕所述第一隔離區上的柵極結構及相鄰柵極結構間的中間層的工藝中，對所述柵極結構和中間層的刻蝕選擇比在預設范圍內。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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