盛合晶微半導體(江陰)有限公司潘遠杰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉盛合晶微半導體(江陰)有限公司申請的專利一種減少臨時鍵合過程氣泡形成的鍵合方法及鍵合結構獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114334774B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011059931.0,技術領域涉及:H01L21/683;該發明授權一種減少臨時鍵合過程氣泡形成的鍵合方法及鍵合結構是由潘遠杰;周祖源;薛興濤設計研發完成,并于2020-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種減少臨時鍵合過程氣泡形成的鍵合方法及鍵合結構在說明書摘要公布了:本發明提供一種減少臨時鍵合過程氣泡形成的鍵合方法及鍵合結構,通過添加等離子處理工藝,使重布線介質層的表面變粗糙,使其具有良好的親水性,從而有利于臨時鍵合膠粘劑流動性,實現臨時鍵合膠與重布線介質層的緊密接觸,減少后續的高溫CVD過程中氣泡的產生,從而降低邊緣破裂的風險,可以提高產品的產量并可以增加產率。
本發明授權一種減少臨時鍵合過程氣泡形成的鍵合方法及鍵合結構在權利要求書中公布了:1.一種減少臨時鍵合過程氣泡形成的鍵合方法,其特征在于,包括步驟: 1提供一焊盤結構,包括襯底、位于所述襯底中的金屬填充的TSV深孔、位于所述襯底表面的重布線介質層、以及位于所述重布線介質層上的金屬電極; 2切去所述襯底的邊角; 3采用等離子對所述重布線介質層進行處理,使其表面具有粗化結構,提高所述重布線介質層的親水性; 4提供基板,利用膠層鍵合所述焊盤結構與所述基板,所述膠層的初始形態為液態,通過涂覆工藝或點膠工藝形成于所述重布線介質層上,然后將所述基板與所述膠層接觸并固化所述膠層,使所述焊盤結構與所述基板臨時鍵合。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人盛合晶微半導體(江陰)有限公司,其通訊地址為:214437 江蘇省無錫市江陰市長山大道78號(經營場所江陰市東盛西路9號);或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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