中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司趙海獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114496735B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011153840.3，技術領域涉及：H01L21/027；該發明授權半導體結構及其形成方法是由趙海;盛偉;張婷;趙君紅;張彬;張繼偉設計研發完成，并于2020-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供基底，包括相鄰的器件區和偽圖形區，器件區基底上有器件掩膜側墻，偽圖形區基底上有偽掩膜側墻；在基底上形成填充層，覆蓋器件掩膜側墻和偽掩膜側墻；在偽圖形區中，刻蝕填充層和部分高度的偽掩膜側墻，形成剩余偽掩膜側墻，剩余偽掩膜側墻和填充層圍成溝槽；在溝槽側壁形成側壁保護層；刻蝕去除剩余偽掩膜側墻；去除側壁保護層；去除填充層；以器件掩膜側墻為掩膜刻蝕基底。本發明通過兩次刻蝕步驟去除偽掩膜側墻，且在形成側壁保護層之后，進行第二次刻蝕步驟，在側壁保護層的保護作用下，降低器件掩膜側墻被誤刻蝕的概率，使得器件掩膜側墻具有較低的線寬粗糙度，從而提高半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括相鄰的器件區和偽圖形區，所述器件區的基底上形成有器件掩膜側墻，所述偽圖形區的基底上形成有偽掩膜側墻； 在所述基底上形成填充層，所述填充層覆蓋所述器件掩膜側墻和偽掩膜側墻； 在所述偽圖形區中，刻蝕所述填充層和部分高度的所述偽掩膜側墻，形成剩余偽掩膜側墻，所述剩余偽掩膜側墻和所述填充層圍成溝槽； 在所述溝槽的側壁形成側壁保護層； 形成所述側壁保護層后，刻蝕去除所述剩余偽掩膜側墻； 去除所述側壁保護層； 去除所述側壁保護層后，去除所述填充層； 去除所述填充層后，以所述器件掩膜側墻為掩膜刻蝕所述基底。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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