華為技術有限公司李珩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華為技術有限公司申請的專利多芯片封裝結構、制造方法以及電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116457941B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080106852.2，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權多芯片封裝結構、制造方法以及電子設備是由李珩;張曉東;王晶;左文明;張娟;周旭設計研發完成，并于2020-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本多芯片封裝結構、制造方法以及電子設備在說明書摘要公布了：一種多芯片封裝結構300，400，500，600、制造方法以及電子設備，能夠提高多芯片封裝的靈活性，以進一步實現電子器件封裝的小型化。該封裝結構300，400中從上至下依次包括：第一裸芯片層301、第二裸芯片層302以及第三裸芯片層303；第一裸芯片層301和第二裸芯片層302之間設置有多個混合鍵合結構305；第二裸芯片層302中設置有多個貫穿第二裸芯片層302的TSV307，第三裸芯片層303和第二裸芯片層302之間設置有多個焊料凸點306。
本發明授權多芯片封裝結構、制造方法以及電子設備在權利要求書中公布了：1.一種多芯片封裝結構，其特征在于，所述封裝結構中從上至下依次包括：第一裸芯片層、第二裸芯片層以及第三裸芯片層，所述第一裸芯片層包括至少一個第一裸芯片，所述第二裸芯片層包括至少一個第二裸芯片，所述第三裸芯片層包括至少一個第三裸芯片； 其中，第一裸芯片層和第二裸芯片層之間設置有多個混合鍵合結構，使得所述第一裸芯片層和所述第二裸芯片層之間通過至少一個混合鍵合結構進行電連接； 所述第二裸芯片層中設置有多個貫穿所述第二裸芯片層的硅通孔TSV，所述第三裸芯片層和所述第二裸芯片層之間設置有多個焊料凸點，所述第一裸芯片層和所述第三裸芯片層之間通過至少一個混合鍵合結構、與所述至少一個混合鍵合結構電連接的至少一個TSV以及與所述至少一個TSV電連接的至少一個焊料凸點進行電連接； 所述第三裸芯片層采用的工藝的特征尺寸小于所述第一裸芯片層和所述第二裸芯片層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華為技術有限公司，其通訊地址為：518129 廣東省深圳市龍崗區坂田華為總部辦公樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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