矽磐微電子(重慶)有限公司涂旭峰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉矽磐微電子(重慶)有限公司申請的專利半導體封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114582736B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011378925.1，技術領域涉及：H01L21/56；該發明授權半導體封裝方法是由涂旭峰;霍炎設計研發完成，并于2020-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體封裝方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體封裝方法。所述半導體封裝方法包括：形成包封結構，所述包封結構包括包封層及至少一個芯片，所述包封層上設置有至少一個內凹的腔體，所述至少一個芯片設置在所述至少一個內凹的腔體內，所述芯片的正面露出所述包封層，所述芯片的正面設有多個焊墊；在所述包封結構上形成再布線結構，所述再布線結構將所述芯片的焊墊引出；將設置有鏤空部的絕緣膜層套在所述再布線結構上，所述再布線結構背離所述芯片的表面通過所述鏤空部露出所述絕緣膜層。
本發明授權半導體封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝方法，其特征在于，包括： 形成包封結構，所述包封結構包括包封層及至少一個芯片，所述包封層上設置有至少一個內凹的腔體，所述至少一個芯片設置在所述至少一個內凹的腔體內，所述芯片的正面露出所述包封層，所述芯片的正面設有多個焊墊； 在所述包封結構上形成再布線結構，所述再布線結構將所述芯片的焊墊引出； 將設置有鏤空部的絕緣膜層套在所述再布線結構上，所述再布線結構背離所述芯片的表面通過所述鏤空部露出所述絕緣膜層；所述鏤空部貫穿所述絕緣膜層；所述再布線結構包括多個導電結構，所述絕緣膜層上設有多個所述鏤空部，所述鏤空部與所述導電結構一一對應，所述導電結構背離所述芯片的一側通過對應的所述鏤空部露出； 所述將設置有鏤空部的絕緣膜層套在所述再布線結構上之前，所述半導體封裝方法還包括：制備所述絕緣膜層；所述制備所述絕緣膜層包括： 提供絕緣材料層及沖壓模具，所述沖壓模具設有沖壓部，所述沖壓部與所述再布線結構的形狀相同； 采用所述沖壓模具的沖壓部對所述絕緣材料層進行沖壓，在所述絕緣材料層上形成所述鏤空部，得到所述絕緣膜層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人矽磐微電子(重慶)有限公司，其通訊地址為：401331 重慶市沙坪壩區西永大道25號C棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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