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龍圖騰網獲悉天馬日本株式會社;武漢天馬微電子有限公司申請的專利薄膜裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113053959B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011540862.5，技術領域涉及：H10K59/12；該發明授權薄膜裝置是由桑原祐也;竹知和重設計研發完成，并于2020-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本薄膜裝置在說明書摘要公布了：提供了一種薄膜裝置，包括：第一氧化物半導體薄膜晶體管，包括頂柵電極、第一金屬氧化物薄膜以及位于頂柵電極和第一金屬氧化物薄膜之間的頂柵絕緣薄膜；第二氧化物半導體薄膜晶體管，包括底柵電極、第二金屬氧化物薄膜和位于底柵電極與第二金屬氧化物薄膜之間的底柵絕緣薄膜；底柵絕緣層，其包括所述底柵絕緣薄膜；存儲電容器，其配置為存儲被施加于所述底柵電極的信號電壓。

本發明授權薄膜裝置在權利要求書中公布了：1.一種薄膜裝置，包括： 第一氧化物半導體薄膜晶體管，其包括頂柵電極、第一金屬氧化物薄膜以及位于所述頂柵電極和所述第一金屬氧化物薄膜之間的頂柵絕緣薄膜； 第二氧化物半導體薄膜晶體管，其包括底柵電極、第二金屬氧化物薄膜以及位于所述底柵電極和所述第二金屬氧化物薄膜之間的底柵絕緣薄膜； 底柵絕緣層，其包括所述底柵絕緣薄膜；以及 存儲電容器，其配置為存儲被施加于所述底柵電極的信號電壓， 其中，所述第一金屬氧化物薄膜包括第一源區、第一漏區以及位于所述第一源區和所述第一漏區之間的第一溝道區； 其中，所述第二金屬氧化物薄膜包括第二源區、第二漏區以及位于所述第二源區和所述第二漏區之間的第二溝道區； 其中，所述存儲電容器的第一電極包括所述底柵電極的一部分； 其中，所述第一源區和所述第一漏區中的一個在所述底柵絕緣層的接觸孔中與所述底柵電極直接接觸； 其中，底柵絕緣薄膜的單位面積電容小于頂柵絕緣薄膜的單位面積電容， 其中所述底柵絕緣薄膜比所述頂柵絕緣薄膜厚， 其中，所述第二氧化物半導體薄膜晶體管進一步包括頂柵電極； 其中，所述第二氧化物半導體薄膜晶體管的頂柵電極與所述第二氧化物半導體薄膜晶體管的第二源區和第二漏區中的一個相連，使所述頂柵電極與所連接的第二源區和第二漏區中的一個具有相同的電勢，以及 其中，所述存儲電容器包括以下一種結構，所述結構包括： 金屬氧化物薄膜，其包括在與所述第一金屬氧化物薄膜和所述第二金屬氧化物薄膜相同的層中，并且位于所述底柵電極的一部分之上并與之接觸； 絕緣薄膜，其包括在與所述頂柵絕緣薄膜相同的層中，并且位于所述金屬氧化物薄膜之上并與之接觸；以及 所述第二氧化物半導體薄膜晶體管的頂柵電極的、位于所述絕緣薄膜之上并與所述絕緣薄膜接觸的一部分。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天馬日本株式會社;武漢天馬微電子有限公司，其通訊地址為：日本神奈川縣川崎市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。