江蘇宏微科技股份有限公司張景超獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇宏微科技股份有限公司申請的專利IGBT器件及其制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114678410B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011554066.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權IGBT器件及其制作方法是由張景超;戚麗娜;井亞會;林茂;俞義長;趙善麒設計研發(fā)完成，并于2020-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本IGBT器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件的溝槽形成于漂移區(qū)上部且貫穿阱區(qū)和源區(qū)，所述溝槽內設有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅連接柵極電極，所述第二多晶硅位于所述源區(qū)之下的空間內，且所述第二多晶硅與所述第一多晶硅、所述阱區(qū)、所述漂移區(qū)相隔離。本發(fā)明的IGBT器件柵極電容較小，因而開通關斷速度快、損耗低。
本發(fā)明授權IGBT器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件的溝槽形成于漂移區(qū)上部且貫穿阱區(qū)和源區(qū)，所述溝槽內設有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅連接柵極電極，所述第二多晶硅位于所述源區(qū)之下的空間內，且所述第二多晶硅與所述第一多晶硅、所述阱區(qū)、所述漂移區(qū)相隔離，所述第二多晶硅為矩形，所述第二多晶硅嵌于所述第一多晶硅的矩形缺口內，所述第二多晶硅與所述第一多晶硅的矩形缺口之間通過柵氧層相隔離，其中，第一多晶硅的矩形缺口與兩個源區(qū)之間的阱區(qū)對應，使得兩個源區(qū)位置處的多晶硅柵分別為第一多晶硅在矩形缺口的兩側部分，兩個源區(qū)之間位置處的多晶硅柵包含第一多晶硅在矩形缺口的上側部分和浮空的第二多晶硅。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人江蘇宏微科技股份有限公司，其通訊地址為：213022 江蘇省常州市新北區(qū)華山中路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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