浙江馳拓科技有限公司韓谷昌獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江馳拓科技有限公司申請的專利一種磁性存儲單元及磁性存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114694705B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011604390.5，技術領域涉及：G11C11/16；該發明授權一種磁性存儲單元及磁性存儲器是由韓谷昌;張愷燁;申力杰;楊曉蕾;劉波設計研發完成，并于2020-12-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種磁性存儲單元及磁性存儲器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種本發明所提供的磁性存儲單元，從下至上依次包括磁性參考層、隧道層、磁性自由層及蓋帽層；所述磁性自由層包括多個存儲結構單元；所述存儲結構單元從下至上依次包括第一鐵磁性層、非磁性金屬間隔層、第二鐵磁性層及氧化物界面層；所述磁性自由層側壁覆蓋有高導電層，所述高導電層的上邊緣與所述蓋帽層導電接觸設置，所述高導電層的下邊緣不低于第一存儲結構單元的氧化物界面層；所述高導電層的下邊緣與所述第一存儲結構單元的第二鐵磁性層不接觸。本發明使多層存儲結構單元間短路連接，降低層疊產生的串聯電阻占磁性隧道結的總電阻的比值，降低磁性隧道結的總電阻，提升數據存儲時長。本發明同時還提供了一種磁性存儲器。
本發明授權一種磁性存儲單元及磁性存儲器在權利要求書中公布了：1.一種磁性存儲單元，其特征在于，從下至上依次包括磁性參考層、隧道層、磁性自由層及蓋帽層； 所述磁性自由層包括多個存儲結構單元； 所述存儲結構單元從下至上依次包括第一鐵磁性層、非磁性金屬間隔層、第二鐵磁性層及氧化物界面層； 所述磁性自由層側壁覆蓋有高導電層，所述高導電層的上邊緣與所述蓋帽層導電接觸設置，所述高導電層的下邊緣不低于第一存儲結構單元的氧化物界面層；其中，所述第一存儲結構單元為距離所述隧道層最近的存儲結構單元； 所述高導電層的下邊緣與所述第一存儲結構單元的第二鐵磁性層不接觸。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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