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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114695524B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011631134.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法是由韓鵬宇;裴軼;宋晰;吳星星設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-12-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底、疊層結(jié)構(gòu)及場板結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)遠離所述襯底的一側(cè)設(shè)有源極、漏極及位于二者之間的柵極；場板結(jié)構(gòu)位于源極、柵極遠離疊層結(jié)構(gòu)的一側(cè)，所述場板結(jié)構(gòu)包括場板主體、導(dǎo)電橋柱及場板接頭，所述場板主體位于所述源極與所述漏極之間；所述場板接頭位于所述源極遠離所述疊層結(jié)構(gòu)的表面；所述導(dǎo)電橋柱位于所述場板主體與所述場板接頭之間，所述場板接頭的數(shù)量為至少一個，所述導(dǎo)電橋柱的數(shù)量與所述場板接頭的數(shù)量相同，且所述導(dǎo)電橋柱與所述場板接頭一一對應(yīng)連接。本申請在增大半導(dǎo)體器件的擊穿電壓，減小柵極的泄漏電流的同時，兼顧半導(dǎo)體器件的頻率特性及穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 襯底； 疊層結(jié)構(gòu)，位于所述襯底的一側(cè)，包括多層依次疊置的半導(dǎo)體層，所述疊層結(jié)構(gòu)遠離所述襯底的一側(cè)設(shè)有源極、柵極及漏極，所述柵極位于所述源極與所述漏極之間； 場板結(jié)構(gòu)，位于所述源極、所述柵極遠離所述疊層結(jié)構(gòu)的一側(cè)，所述場板結(jié)構(gòu)包括場板主體、導(dǎo)電橋柱及場板接頭，所述場板主體位于所述源極與所述漏極之間；所述場板接頭位于所述源極遠離所述疊層結(jié)構(gòu)的表面；所述導(dǎo)電橋柱位于所述場板主體與所述場板接頭之間，所述導(dǎo)電橋柱的一端與所述場板主體連接且另一端與所述場板接頭連接； 其中，所述場板接頭的數(shù)量為至少一個，所述導(dǎo)電橋柱的數(shù)量與所述場板接頭的數(shù)量相同，且所述導(dǎo)電橋柱與所述場板接頭一一對應(yīng)連接； 所述源極上設(shè)置有源極通孔； 所述場板接頭在所述疊層結(jié)構(gòu)的表面的正投影，與所述源極通孔在所述疊層結(jié)構(gòu)的表面的正投影無重疊，或重疊面積小于所述場板接頭在所述疊層結(jié)構(gòu)的表面的正投影的面積的12。

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