西安紫光國芯半導體有限公司李曉駿獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安紫光國芯半導體有限公司申請的專利芯片單元、芯片組件和3D芯片獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114823601B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110127400.9,技術領域涉及:H01L23/498;該發明授權芯片單元、芯片組件和3D芯片是由李曉駿設計研發完成,并于2021-01-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本芯片單元、芯片組件和3D芯片在說明書摘要公布了:本申請實施例提供了一種芯片單元、芯片組件和3D芯片,其中芯片單元包括:襯底層;金屬層,金屬層包括相對設置的第一表面和第二表面,金屬層的第二表面設置在襯底層上;金屬層穿孔組件,設置在金屬層內,金屬層穿孔組件包括:第一導體件、第二導體件和導體連接孔,第一導體件形成于金屬層的第一表面,第二導體件形成于金屬層的第二表面,導體連接孔形成于金屬層內,第二導體件通過導體連接孔連接于第一導體件,以使信號能夠通過襯底層傳輸至第一表面;襯底通孔,開設在襯底層上;引線,連接于第一導體件和或第二導體件。該芯片單元能夠使芯片單元的布線方式更為靈活,特別是能夠降低引線占用芯片單元正面的面積,使引線的布局和排布更為簡單。
本發明授權芯片單元、芯片組件和3D芯片在權利要求書中公布了:1.一種芯片單元,其特征在于,包括: 襯底層; 金屬層,所述金屬層包括相對設置的第一表面和第二表面,所述金屬層的所述第二表面設置在所述襯底層上; 金屬層穿孔組件,設置在所述金屬層內,所述金屬層穿孔組件包括:第一導體件、第二導體件和導體連接孔,所述第一導體件形成于所述金屬層的所述第一表面,所述第二導體件形成于所述金屬層的所述第二表面,所述導體連接孔形成于所述金屬層內,所述第二導體件通過所述導體連接孔連接于所述第一導體件,以使信號能夠通過所述襯底層傳輸至所述第一表面; 襯底通孔,開設在所述襯底層上,連通于所述第二導體件,所述襯底通孔為圓臺形; 所述圓臺形包括第一端面和第二端面,所述第一端面的直徑小于所述第二端面的直徑,所述第一端面位于所述襯底層靠近于所述金屬層的一側,所述第二端面位于所述襯底層遠離于所述金屬層的一側; 引線,連接于所述第一導體件和或所述第二導體件; 襯底導體件,設置在所述襯底層內; 所述襯底通孔包括底部通孔和中間連接孔,所述底部通孔開設在所述襯底層的底部,連通于所述襯底導體件,所述中間連接孔位于所述襯底導體件和所述第二導體件之間,所述襯底導體件通過所述中間連接孔連通于所述第二導體件; 片內導體件,設置所述金屬層內,位于所述第一導體件和所述第二導體件之間; 其中,所述導體連接孔為多個,所述第二導體件通過多個所述導體連接孔中的部分所述導體連接孔連接于所述片內導體件,所述片內導體件通過多個所述導體連接孔中的部分所述導體連接孔連接于第一導體件,所述導體連接孔的數量與所述片內導體件的數量的差值為1; 導體介質填充層,填充在所述襯底通孔內; 散熱層,覆蓋在所述導體介質填充層上。
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