常州億晶光電科技有限公司吳佳俊獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉常州億晶光電科技有限公司申請的專利硅片刻蝕裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN113161266B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110423573.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/67;該發(fā)明授權(quán)硅片刻蝕裝置是由吳佳俊設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-04-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本硅片刻蝕裝置在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及硅片生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種硅片刻蝕裝置,包括用于對硅片單面噴射介質(zhì)的噴淋裝置、用于對硅片進(jìn)行支撐的支撐機(jī)構(gòu)和用于限制硅片位移范圍的第一限位機(jī)構(gòu),所述支撐機(jī)構(gòu)位于噴淋機(jī)構(gòu)和第一限位機(jī)構(gòu)之間,當(dāng)硅片放置在支撐機(jī)構(gòu)上時,所述硅片與第一限制機(jī)構(gòu)之間具有間隙,當(dāng)所述噴淋裝置對硅片單面噴射介質(zhì)時,使用時,通過將硅片放置在支撐機(jī)構(gòu)上進(jìn)行支撐,而噴淋機(jī)構(gòu)對硅片的單面進(jìn)行噴淋介質(zhì),在介質(zhì)的作用力下硅片懸浮并與限位機(jī)構(gòu)接觸,限位機(jī)構(gòu)限制了硅片在支撐機(jī)構(gòu)和限位機(jī)構(gòu)之間的位移范圍,由原有的浸泡改為噴淋,不會出現(xiàn)硅片由于介質(zhì)波動而翻越至硅片另一面的現(xiàn)象,保證了硅片生產(chǎn)穩(wěn)定可。
本發(fā)明授權(quán)硅片刻蝕裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種硅片刻蝕裝置,其特征在于:包括用于對硅片(8)單面噴射介質(zhì)的噴淋裝置、用于對硅片(8)進(jìn)行支撐的支撐機(jī)構(gòu)和用于限制硅片(8)位移范圍的第一限位機(jī)構(gòu),所述支撐機(jī)構(gòu)位于噴淋裝置和第一限位機(jī)構(gòu)之間,當(dāng)所述噴淋裝置對硅片(8)單面噴射介質(zhì)時,所述硅片(8)在介質(zhì)的作用力下懸浮并脫離支撐機(jī)構(gòu),同時硅片(8)與第一限位機(jī)構(gòu)接觸并限制硅片(8)位移; 所述第一限位機(jī)構(gòu)包括設(shè)置在硅片(8)上方的芯軸(3); 所述第一限位機(jī)構(gòu)還包括浮動壓輪(4),所述浮動壓輪(4)上設(shè)置有安裝孔(401),所述安裝孔(401)的孔徑大于芯軸(3)的直徑,所述芯軸(3)穿過安裝孔(401),當(dāng)硅片8放置在支撐機(jī)構(gòu)上時,所述浮動壓輪4與硅片8接觸,通過在芯軸(3)上浮動設(shè)置浮動壓輪(4),浮動壓輪(4)對硅片(8)起到緩沖作用。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人常州億晶光電科技有限公司,其通訊地址為:213213 江蘇省常州市金壇區(qū)堯塘鎮(zhèn)金武路18號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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