長鑫存儲技術(shù)有限公司池性洙獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利讀出電路結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115565569B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110751252.8,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G11C7/12;該發(fā)明授權(quán)讀出電路結(jié)構(gòu)是由池性洙;金書延;張鳳琴設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-07-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本讀出電路結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了:本申請實施例提供了一種讀出電路結(jié)構(gòu),設(shè)置在存儲陣列的間隙中,包括:結(jié)構(gòu)層、在結(jié)構(gòu)層頂部堆疊設(shè)置的第一互連層和第二互連層;結(jié)構(gòu)層中設(shè)置有第一感測放大結(jié)構(gòu)、第二感測放大結(jié)構(gòu)和均衡結(jié)構(gòu);其中,第一位線或第一互補位線的其中一者設(shè)置在第一互連層中,另一者的至少部分設(shè)置在第二互連層中;第二位線或第二互補位線的其中一者設(shè)置在第一互連層中,另一者的至少部分設(shè)置在第二互連層中;均衡結(jié)構(gòu)直接連接第一互補位線和第二位線;其中,均衡結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一感測放大器結(jié)構(gòu)和第二感測放大器結(jié)構(gòu)之間,且與第一互補位線和第二位線在第一互連層中直接連接,既解決了預(yù)充電速度慢的問題,又減小讀出電路結(jié)構(gòu)的版圖面積。
本發(fā)明授權(quán)讀出電路結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種讀出電路結(jié)構(gòu),設(shè)置在相鄰存儲陣列的間隙中,其特征在于,包括: 結(jié)構(gòu)層、在所述結(jié)構(gòu)層頂部堆疊設(shè)置的第一互連層和第二互連層; 所述結(jié)構(gòu)層中設(shè)置有第一感測放大結(jié)構(gòu)、第二感測放大結(jié)構(gòu)和均衡結(jié)構(gòu); 所述第一感測放大結(jié)構(gòu)通過第一位線連接相鄰存儲陣列中的一存儲陣列,所述第一感測放大結(jié)構(gòu)通過第一互補位線連接相鄰存儲陣列中的另一存儲陣列,所述第二感測放大結(jié)構(gòu)通過第二位線連接相鄰存儲陣列中的一存儲陣列,所述第二感測放大結(jié)構(gòu)通過第二互補位線連接相鄰存儲陣列中的另一存儲陣列; 其中,所述第一位線或所述第一互補位線的其中一者設(shè)置在所述第一互連層中,另一者的至少部分設(shè)置在所述第二互連層中;所述第二位線或所述第二互補位線的其中一者設(shè)置在所述第一互連層中,另一者的至少部分設(shè)置在所述第二互連層中; 所述均衡結(jié)構(gòu)直接連接所述第一互補位線和所述第二位線,用于為所述第一位線、所述第一互補位線、所述第一感測放大結(jié)構(gòu)、所述第二位線、所述第二互補位線和所述第二感測放大結(jié)構(gòu)預(yù)充電; 其中,所述均衡結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第一感測放大器結(jié)構(gòu)和所述第二感測放大器結(jié)構(gòu)之間,且與所述第一互補位線和所述第二位線在所述第一互連層中直接連接。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人長鑫存儲技術(shù)有限公司,其通訊地址為:230601 安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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