長鑫存儲技術有限公司郭帥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法、存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116093129B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111296771.6，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體結構及其形成方法、存儲器是由郭帥設計研發完成，并于2021-11-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法、存儲器在說明書摘要公布了：本公開實施例公開了一種半導體結構及其形成方法、存儲器。其中，半導體結構包括：襯底；位線層，位于所述襯底內；字線堆疊層，位于所述襯底上，所述字線堆疊層包括字線層；間隙，位于所述位線層與所述字線層之間。本公開實施例能夠減少位線間寄生電容。
本發明授權半導體結構及其形成方法、存儲器在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，包括： 襯底； 位線層，位于所述襯底內； 字線堆疊層，位于所述襯底上，所述字線堆疊層包括字線層；第一絕緣層，位于所述位線層之上；第二絕緣層，位于所述字線層之下；介質層，位于所述字線層上； 晶體管，所述晶體管包括依次堆疊于所述位線上的源極、溝道區和漏極，所述源極貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層，所述溝道區貫穿所述字線層，所述漏極貫穿所述介質層，所述源極連接所述位線；間隙，所述間隙位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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