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龍圖騰網獲悉上海芯緯科技有限公司申請的專利一種用于電子雷管的儲能電容保護電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114512964B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111524538.9，技術領域涉及：H02H7/16；該發明授權一種用于電子雷管的儲能電容保護電路是由周偉設計研發完成，并于2021-12-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種用于電子雷管的儲能電容保護電路在說明書摘要公布了：本發明提供一種用于電子雷管的儲能電容保護電路，包括：第一支路，所述第一支路設有二極管D；和第二支路，所述第二支路設有電阻R0、電阻R1和耗盡型MOS管Q1；其中，所述第一支路與所述第二支路并聯，所述電阻R0的一端連接于所述耗盡型MOS管Q1的柵極，所述電阻R0的另一端連接于所述耗盡型MOS管Q1的源極，所述電阻R1的一端連接于所述耗盡型MOS管Q1的漏極，所述電阻R1的另一端連接于所述二極管D。

本發明授權一種用于電子雷管的儲能電容保護電路在權利要求書中公布了：1.一種用于電子雷管的儲能電容保護電路，其特征在于，包括： 第一支路，所述第一支路設有二極管D；和 第二支路，所述第二支路設有電阻R0、電阻R1和耗盡型MOS管Q1，其中，所述第一支路與所述第二支路并聯，所述電阻R0的一端連接于所述耗盡型MOS管Q1的柵極，所述電阻R0的另一端連接于所述耗盡型MOS管Q1的源極，Q1的源級同時連接于二極管D的正極，所述電阻R1的一端連接于所述耗盡型MOS管Q1的漏極，所述電阻R1的另一端連接于所述二極管D的負極；所述耗盡型MOS管Q1為N溝道耗盡型MOS管；所述電阻R0和所述N溝道耗盡型MOS管Q1與一個負電荷泵連接； 所述用于電子雷管的儲能電容保護電路并聯于電子雷管的儲能電容C，分別與所述儲能電容C的第一端和第二端電連接，其中，所述儲能電容C的第一端連接于一個充電電路，所述儲能電容C的第二端接地，所述儲能電容C還進一步與一個點火放電電路并聯，所述二極管D的正極連接于所述儲能電容C的第二端，所述二極管D的負極連接于所述儲能電容C的第一端； 若所述儲能電容C帶有第一端為正、第二端為負的電荷，這些電荷能夠通過所述第二支路被泄放；若所述儲能電容C帶有第一端為負、第二端為正的電荷，這些電荷能通過所述第一支路被泄放； 當電子雷管處于未通電狀態時，所述儲能電容C上的電荷能夠被泄放，因摩擦、電磁感應或松弛極化的因素在所述儲能電容C上產生的電荷能夠被及時泄放，從而保證所述儲能電容C上的能量低于安全閾值； 所述負電荷泵直接連接于所述N溝道耗盡型MOS管Q1的柵極，所述電阻R0連接在所述N溝道耗盡型MOS管Q1的源極和所述負電荷泵之間。

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