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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海交通大學(xué)申請(qǐng)的專利一種復(fù)合拋物面聚光靶型及其制備工藝獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114242270B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111558082.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G21B1/19；該發(fā)明授權(quán)一種復(fù)合拋物面聚光靶型及其制備工藝是由劉景全;徐慶達(dá);林祖德;王曉林;劉武設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-20向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種復(fù)合拋物面聚光靶型及其制備工藝在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種復(fù)合拋物面聚光靶型及其制備工藝，所述靶型包括：復(fù)合拋物面靶殼，其內(nèi)表面為由拋物線沿中心軸旋轉(zhuǎn)180°而成的軸對(duì)稱殼體，所述殼體由曲面沿著拋物面延長(zhǎng)線截?cái)啵ＷC激光聚焦點(diǎn)位于激光輸出端口以外；垂直靶架，用于支撐所述復(fù)合拋物面靶殼，并將所述復(fù)合拋物面靶殼進(jìn)行垂直固定。利用精密加工工藝，實(shí)現(xiàn)金屬材料殼體的制作，結(jié)合精密車削技術(shù)、厚金屬電鍍技術(shù)、雙模態(tài)腐蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)拋物面殼體制備；利用高精度3D打印技術(shù)完成其垂直靶架的制作。該復(fù)合拋物面聚光靶型的設(shè)計(jì)可使激光從靶殼入射口進(jìn)入，經(jīng)過(guò)最多一次反射便可通過(guò)激光輸出端口聚焦在一點(diǎn)，有效減輕聚變點(diǎn)火所需激光功率。

本發(fā)明授權(quán)一種復(fù)合拋物面聚光靶型及其制備工藝在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種復(fù)合拋物面聚光靶型的制備工藝，其特征在于， 所述復(fù)合拋物面聚光靶型，包括： 復(fù)合拋物面靶殼，其內(nèi)表面為由拋物線沿中心軸旋轉(zhuǎn)180°而成的軸對(duì)稱殼體，所述殼體由曲面沿著拋物面延長(zhǎng)線截?cái)啵ＷC激光聚焦點(diǎn)位于激光輸出端口以外； 垂直靶架，用于支撐所述復(fù)合拋物面靶殼，并將所述復(fù)合拋物面靶殼進(jìn)行垂直固定； 所述制備工藝包括： 利用精加工工藝車削出靶基座，靶基座呈拋物線形狀； 在靶基座尖端電鍍一層厚金屬，并利用精加工工藝切削出靶形所需形狀和尺寸； 取下靶基座尖端并放入釋放液中，進(jìn)行動(dòng)態(tài)腐蝕和靜態(tài)腐蝕方式釋放出最終的復(fù)合拋物面靶殼； 將取出后的復(fù)合拋物面靶殼放置到垂直靶架上，采用液體膠水固定后完成裝配； 其中： 所述靶基座由基底和位于基底上的尖端組成，靶基座材料為導(dǎo)電材料； 在靶基座尖端電鍍一層厚金屬之前，還包括： 先在尖端涂覆種子層，根據(jù)電鍍金屬特性的不同，靶基座尖端本身即能作為種子層，且電鍍材料與種子層材料不能相同； 所述靶基座包括平面的尖端，其側(cè)面為拋物面一部分，靶基座長(zhǎng)度0.2—2mm，激光輸出端口直徑為10—200μm，激光輸入端口直徑為0.1—1mm； 所述釋放液為能腐蝕基座尖端材料的溶液。

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