上海新微技術研發中心有限公司劉濤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海新微技術研發中心有限公司申請的專利減少立體圖形光刻失真的光刻方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116360207B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111613795.X，技術領域涉及：G03F1/46；該發明授權減少立體圖形光刻失真的光刻方法是由劉濤;王詩男;龔燕飛;邰立;吳俊設計研發完成，并于2021-12-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本減少立體圖形光刻失真的光刻方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種減少立體圖形光刻失真的光刻方法，包括：1提供一基底，基底的表面具有凹臺結構；2于基底表面、凹臺結構的側壁和底部形成光刻膠層；3提供一光掩模，光掩模包括透光基底和掩膜圖形層，在掩膜圖形層上形成抗反射層；4基于光掩模對光刻膠層進行曝光處理，掩膜圖形層至少遮擋凹臺結構底部的部分光刻膠層，且至少顯露凹臺結構側壁的部分光刻膠層；5對光刻膠層進行顯影處理。本發明可以有效解決立體圖形在接觸式曝光時光掩膜界面反射光的問題，從而使得光刻圖形得到保真。
本發明授權減少立體圖形光刻失真的光刻方法在權利要求書中公布了：1.一種減少立體圖形光刻失真的光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括： 1提供一基底，所述基底的表面具有凹臺結構，所述凹臺結構的側壁與所述凹臺結構的底部之間的夾角為鈍角，所述鈍角的角度為95～150度； 2于所述基底表面、所述凹臺結構的側壁和底部形成光刻膠層； 3提供一光掩模，所述光掩模包括透光基底和掩膜圖形層，在所述掩膜圖形層上形成抗反射層； 4基于所述光掩模對所述光刻膠層進行曝光處理，所述掩膜圖形層至少遮擋所述凹臺結構底部的部分光刻膠層，且至少顯露所述凹臺結構側壁的部分光刻膠層； 5對所述光刻膠層進行顯影處理。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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