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龍圖騰網獲悉上海交通大學申請的專利一種通過光電響應獲得低維納米器件物理參數的設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114740322B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210042436.1，技術領域涉及：G01R31/26；該發明授權一種通過光電響應獲得低維納米器件物理參數的設備是由但亞平;李凱;許以農設計研發完成，并于2022-01-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種通過光電響應獲得低維納米器件物理參數的設備在說明書摘要公布了：本發明提出了一種通過光電響應獲得低維納米器件物理參數的設備，包括：光源，用于照射低維納米器件；電流檢測單元，用于檢測所述低維納米器件在不同光強照射下產生的光電流，以及檢測所述低維納米器件在無光源照射下產生的暗電流；光強與電流關系獲取單元，用于獲取不同光強與相應光電流之間的關系；參數獲取單元，用于根據所述光強與電流關系對已有的光照強度和納米器件光電流之間關系的公式進行擬合從而獲取參數和的值；以及計算單元，用于根據所述參數及其他已有公式計算獲得低維納米器件物理參數，所述物理參數包括少數載流子壽命τ0，表面復合速率Vsrv，耗盡區寬度，摻雜濃度以及遷移率。

本發明授權一種通過光電響應獲得低維納米器件物理參數的設備在權利要求書中公布了：1.一種通過光電響應獲得低維納米器件物理參數的設備，其特征在于，包括： 光源，用于照射低維納米器件； 電流檢測單元，用于檢測所述低維納米器件在不同光強照射下產生的光電流，以及檢測所述低維納米器件在無光源照射下產生的暗電流； 光強與電流關系獲取單元，用于獲取不同光強與相應光電流之間的關系； 參數獲取單元，用于根據光強與電流關系對公式1進行擬合從而獲取參數和的值， 計算單元，用于根據所述參數的值及公式2計算獲得所述低維納米器件的少數載流子壽命τ0， 所述計算單元還根據經驗預設理想因子η和所述參數的值及公式3、4、6計算獲得所述低維納米器件的耗盡區寬度，摻雜濃度以及遷移率， Idark＝μppqEchHchWch4 上述公式中，Iph為納米器件的光電流，Plight為光照強度，為耗盡區因光照縮小為零時的光生電流，即臨界光電流，η為理想因子，該理想因子的范圍為[1,2]，k為玻爾茲曼常數，T為溫度，q為單位電荷，Vbio為無光照即暗場時表面電勢，暗場表面電勢與表面耗盡區寬度服從下列關系這里NA是摻雜濃度，εs是半導體的介電常數，Wdep為表面耗盡區寬度；為臨界光強，即漏電流密度與耗盡區上的光電流密度相等時的光照強度，α為硅納米線的光吸收系數，為光子的能量，H為納米線物理高度，ni為本征半導體電子濃度；Idark為暗電流，Wch為納米線溝道的寬度，Hch為納米線溝道的厚度,Ach是導電溝道的橫截面積，表達式是導電溝道橫截面積對耗盡區寬度的導數，“||”表示對兩豎線中間的變量取絕對值；μp為空穴遷移率，p為多子濃度，Ech為電場強度。

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