西安電子科技大學張濛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利基于柵下電場調制的高工作電壓射頻功率器件及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114725193B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210148226.0，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權基于柵下電場調制的高工作電壓射頻功率器件及制備方法是由張濛;郭思音;馬曉華;陳怡霖;宓珉瀚;朱青設計研發完成，并于2022-02-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于柵下電場調制的高工作電壓射頻功率器件及制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于柵下電場調制的高工作電壓射頻功率器件及制備方法，該器件包括：襯底層；緩沖層，位于襯底層上；溝道層，位于緩沖層上；源極，位于溝道層的一端；漏極，位于溝道層的另一端；插入層，位于溝道層上，且位于源極和漏極之間；勢壘層，位于插入層上；其中，沿著柵寬方向，在勢壘層、插入層和溝道層內間隔設置有若干凹槽，凹槽的底部位于溝道層內；鈍化層，位于勢壘層上，其中，沿著柵寬方向，設置有貫穿鈍化層的柵槽，且若干凹槽位于柵槽下；柵極，位于若干凹槽和柵槽中，以及部分鈍化層的表面；其中，凹槽靠近源極的邊長小于其靠近漏極的邊長。本發明的器件設置有非對稱的收斂形納米溝道，能提升擊穿特性并降低漏電和功耗。
本發明授權基于柵下電場調制的高工作電壓射頻功率器件及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于柵下電場調制的高工作電壓射頻功率器件，其特征在于，包括： 襯底層； 緩沖層，位于所述襯底層上； 溝道層，位于所述緩沖層上； 源極，位于所述溝道層的一端； 漏極，位于所述溝道層的另一端； 插入層，位于所述溝道層上，且位于所述源極和所述漏極之間； 勢壘層，位于所述插入層上；其中，沿著柵寬方向，在所述勢壘層、所述插入層和所述溝道層內間隔設置有若干凹槽，所述凹槽的底部位于所述溝道層內； 鈍化層，位于所述勢壘層上，其中，沿著所述柵寬方向，設置有貫穿所述鈍化層的柵槽，且若干所述凹槽位于所述柵槽下； 柵極，位于若干所述凹槽和所述柵槽中，以及部分所述鈍化層的表面； 其中，所述凹槽沿著所述柵寬方向延伸的邊長中靠近源極的邊長小于靠近漏極的邊長，所述凹槽與相鄰凹槽之間的未刻蝕區域呈周期性排列，在一個周期內所述凹槽和所述未刻蝕區域的面積比為1：2。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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