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龍圖騰網獲悉成都楞次科技有限公司申請的專利一種GaN FET半橋串擾抑制電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114844345B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210536004.6，技術領域涉及：H02M1/44；該發明授權一種GaN FET半橋串擾抑制電路是由畢闖;王娜;洪濤;賈科林設計研發完成，并于2022-05-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種GaN FET半橋串擾抑制電路在說明書摘要公布了：本發明屬于電子電路技術領域，具體涉及一種GaNFET半橋串擾抑制電路。本發明提供一種GaN半橋串擾抑制電路，利用有源器件實現串擾抑制，并防止因橋臂串擾導致GaN橋臂直通或器件擊穿，抑制效果明顯，能夠很好的保證GaN器件的正確開通和關斷。

本發明授權一種GaN FET半橋串擾抑制電路在權利要求書中公布了：1.一種GaNFET半橋串擾抑制電路，連接于GaN同步BUCK電路的GaN器件柵極、源極之間，其特征在于，包括第一GaN開關管、第二GaN開關管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、電容、第一電感、第二電感、第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管、第一二極管、第二二極管、第三二極管、第四二極管、第一開關管、第二開關管、第三開關管、第四開關管、第一電壓源、第二電壓源、第三電壓源和第四電壓源；其中，第一GaN開關管的漏極通過第一電感后接母線電壓正極，其柵極依次通過第一電阻、第二電阻和第二二極管后接第一開關管的源極和第二開關管的漏極；第五電阻并聯在第二二極管和第二電阻兩端；第一開關管的漏極接第一電壓源的正端，其柵極接第一控制信號；第二開關管的源極接第二電壓源的負端，其柵極接第二控制信號；第一電壓源的負端和第二電壓源的正端接第一GaN開關管的源極、第二GaN開關管的漏極、第二電感的一端；第一三極管的集電極接第一二極管的負極，第一二極管的正極接第二開關管的源極、第三電阻的一端、第四電阻的一端、第二三極管的集電極；第三電阻的另一端接第一三極管的基極，第一三極管的發射極接第一電阻和第二電阻的連接點，以及第二三極管的發射極；第二三極管的基極接第四電阻的另一端； 第二GaN開關管的柵極依次通過第六電阻、第七電阻和第四二極管后接第三開關管的源極和第四開關管的漏極；第十電阻并聯在第四二極管和第七電阻兩端；第三開關管的漏極接第三電壓源的正端，其柵極接第三控制信號；第四開關管的源極接第四電壓源的負端，其柵極接第四控制信號；第三電壓源的負端和第四電壓源的正端接第二GaN開關管的源極和母線電壓負極；第三三極管的集電極接第三二極管的負極，第三二極管的正極接第四開關管的源極、第八電阻的一端、第九電阻的一端、第四三極管的集電極；第八電阻的另一端接第三三極管的基極，第三三極管的發射極接第六電阻和第七電阻的連接點，以及第四三極管的發射極；第四三極管的基極接第九電阻的另一端； 第二電感的另一端接由電容和第十一電阻構成的并聯電路從而形成輸出端接GaN器件柵極。

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