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龍圖騰網獲悉東南大學;東南大學—無錫集成電路技術研究所申請的專利一種基于IGZO薄膜晶體管的基準電壓源及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114883416B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210669192.X，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權一種基于IGZO薄膜晶體管的基準電壓源及其制備方法是由吳汪然;黃庭瑞;楊光安;俞祚旭;孫偉鋒;時龍興設計研發完成，并于2022-06-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于IGZO薄膜晶體管的基準電壓源及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于IGZO薄膜晶體管的基準電壓源的制備方法，包括：獲取襯底；在襯底上形成柵電極層；在柵電極層上形成柵極介電層；在柵極介電層上形成IGZO有源層；在IGZO有源層上形成源極、漏極；通過對薄膜晶體管的IGZO有源層進行局部氫等離子體處理，形成耗盡型薄膜晶體管。通過氫等離子體處理工藝實現氫摻雜，提升溝道載流子濃度，使n型增強型IGZO薄膜晶體管轉變為n型耗盡型IGZO薄膜晶體管，該工藝簡便快捷、兼容性好，易于實現大規模生產。本發明還提供了一種基于IGZO薄膜晶體管的基準電壓源，包括電流源子電路與基準電壓子電路，對傳統CMOS拓撲結構進行了改進，創新地利用增強型、耗盡型兩種工作模式的n型IGZO薄膜晶體管實現低線性靈敏度的基準電壓源。

本發明授權一種基于IGZO薄膜晶體管的基準電壓源及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于IGZO薄膜晶體管的基準電壓源，其特征在于，包括：電流源子電路和基準電壓子電路； 所述電流源子電路包括第一耗盡型IGZO薄膜晶體管D1、第二耗盡型IGZO薄膜晶體管D2、第一增強型IGZO薄膜晶體管M1、第二增強型IGZO薄膜晶體管M2、反饋管MR1，其中： 第一耗盡型IGZO薄膜晶體管D1，漏極與供電電源VDD連接，柵極與第二耗盡型IGZO薄膜晶體管D2的柵極連接，源極與第一增強型IGZO薄膜晶體管M1的漏極連接； 第二耗盡型IGZO薄膜晶體管D2，漏極與供電電源VDD連接，柵極、源極均與第二增強型IGZO薄膜晶體管M2的漏極連接； 第一增強型IGZO薄膜晶體管M1，漏極、柵極均與第二增強型IGZO薄膜晶體管M2的柵極連接，源極接地GND； 第二增強型IGZO薄膜晶體管M2，源極與反饋管MR1的漏極連接； 反饋管MR1，源極接地GND； 增強型IGZO薄膜晶體管自下而上包括：襯底、柵電極層、柵極介電層、IGZO有源層，所述IGZO有源層上設置源極、漏極； 耗盡型IGZO薄膜晶體管自下而上包括襯底、柵電極層、柵極介電層、IGZO有源層，所述IGZO有源層上設置源極、漏極，源極和漏極之間的IGZO有源層被定義為實現氫摻雜的窗口。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東南大學;東南大學—無錫集成電路技術研究所，其通訊地址為：211189 江蘇省南京市江寧區東南大學路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。