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龍圖騰網(wǎng)獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利功率半導(dǎo)體器件及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115394894B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202210812168.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/831；該發(fā)明授權(quán)功率半導(dǎo)體器件及其制備方法是由王群;龔逸品;陳張笑雄;王江波設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-07-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本功率半導(dǎo)體器件及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本公開(kāi)提供了一種功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該功率半導(dǎo)體器件包括外延片、陽(yáng)電極和陰電極；外延片包括襯底和依次形成在襯底上的緩沖層、U?GaN層、AlGaN層、GaN帽層和SiN保護(hù)層；陽(yáng)電極和陰電極相互間隔，陽(yáng)電極的第一端依次貫穿SiN保護(hù)層和GaN帽層并插接在AlGaN層內(nèi)，陽(yáng)電極朝向陰電極的一側(cè)相對(duì)于AlGaN層傾斜；陰電極的第一端依次貫穿SiN保護(hù)層和GaN帽層并插接在AlGaN層內(nèi)，陰電極朝向陽(yáng)電極的一側(cè)相對(duì)于AlGaN層傾斜。本公開(kāi)能夠改善電場(chǎng)分布，有助于提高功率半導(dǎo)體器件的高溫可靠性。

本發(fā)明授權(quán)功率半導(dǎo)體器件及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括外延片10、陽(yáng)電極20和陰電極30； 所述外延片10包括襯底110和依次形成在所述襯底110上的緩沖層120、U-GaN層130、AlGaN層140、GaN帽層150和SiN保護(hù)層160； 所述陽(yáng)電極20和所述陰電極30相互間隔，所述陽(yáng)電極20的第一端依次貫穿所述SiN保護(hù)層160和所述GaN帽層150并插接在所述AlGaN層140內(nèi)，所述陽(yáng)電極20朝向所述陰電極30的一側(cè)相對(duì)于所述AlGaN層140傾斜，在所述陽(yáng)電極20的第一端至第二端的方向上，所述陽(yáng)電極20朝向所述陰電極30的一側(cè)，朝向所述陰電極30傾斜，所述陽(yáng)電極20的縱剖面為直角梯形，所述直角梯形的上底為所述陽(yáng)電極20的第一端，所述直角梯形的下底為所述陽(yáng)電極20的第二端，所述直角梯形的高背離所述陰電極30，且垂直于所述AlGaN層140，所述直角梯形的斜腰靠近所述陰電極30，且傾斜于所述AlGaN層140，所述直角梯形的斜腰為所述陽(yáng)電極20傾斜的一側(cè)； 所述陰電極30的第一端依次貫穿所述SiN保護(hù)層160和所述GaN帽層150并插接在所述AlGaN層140內(nèi)，所述陰電極30朝向所述陽(yáng)電極20的一側(cè)相對(duì)于所述AlGaN層140傾斜，在所述陰電極30的第二端至第一端的方向上，所述陰電極30朝向所述陽(yáng)電極20的一側(cè)，背離所述陽(yáng)電極20傾斜，所述陰電極30的縱剖面為直角梯形，所述直角梯形的上底為所述陰電極30的第二端，所述直角梯形的下底為所述陰電極30的第一端，所述直角梯形的高背離所述陽(yáng)電極20，且垂直于所述AlGaN層140，所述直角梯形的斜腰靠近所述陽(yáng)電極20，且傾斜于所述AlGaN層140，所述直角梯形的斜腰為所述陰電極30傾斜的一側(cè)； 所述陽(yáng)電極20朝向所述陰電極30傾斜的一側(cè)，與所述陰電極30朝向所述陽(yáng)電極20傾斜的一側(cè)相互平行。

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