上海電力大學(xué)李高芳獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海電力大學(xué)申請的專利一種基于光子晶體基板的多頻高增益太赫茲微帶天線獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115173048B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202210889848.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01Q1/38;該發(fā)明授權(quán)一種基于光子晶體基板的多頻高增益太赫茲微帶天線是由李高芳;黃仁杰;崔昊楊;林佳;蔣偉;焦哲晶設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-07-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種基于光子晶體基板的多頻高增益太赫茲微帶天線在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及一種基于光子晶體基板的多頻高增益太赫茲微帶天線,本發(fā)明的目的是提供一種基于光子晶體基板的多頻高增益太赫茲微帶天線,該天線包括接地板、第二介質(zhì)基板、第一介質(zhì)基板、輻射貼片,接地板粘附在第二介質(zhì)基板下,所述第二介質(zhì)基板中設(shè)置光子晶體結(jié)構(gòu);第一介質(zhì)基板通過半固化片粘接在所述第二介質(zhì)基板上;輻射貼片刻蝕在第一介質(zhì)基板上,所述輻射貼片匹配連接有四分之一阻抗轉(zhuǎn)換器和50Ω微帶傳輸線,所述四分之一阻抗轉(zhuǎn)換器的兩端分別與輻射貼片和50Ω微帶傳輸線連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的天線在三個(gè)THz頻段滿足穩(wěn)定工作要求,且三個(gè)工作頻段均有較高的增益,結(jié)構(gòu)簡單新穎,易于實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明授權(quán)一種基于光子晶體基板的多頻高增益太赫茲微帶天線在權(quán)利要求書中公布了:1.一種基于光子晶體基板的多頻高增益太赫茲微帶天線,其特征在于,該天線包括: 接地板(1); 第二介質(zhì)基板(2),粘附在接地板(1)上,所述第二介質(zhì)基板(2)中設(shè)置光子晶體結(jié)構(gòu)(10); 第一介質(zhì)基板(3),通過半固化片粘接在所述第二介質(zhì)基板(2)上; 輻射貼片(4),刻蝕在第一介質(zhì)基板(3)上,所述輻射貼片(4)匹配連接有四分之一阻抗轉(zhuǎn)換器(5)和50Ω微帶傳輸線(6),所述四分之一阻抗轉(zhuǎn)換器(5)的兩端分別與輻射貼片(4)和50Ω微帶傳輸線(6)連接; 所述光子晶體結(jié)構(gòu)(10)包括5×5周期排列的矩形介質(zhì)柱; 所述矩形介質(zhì)柱為介電常數(shù)為3.5、損耗角正切值為0.0027的聚酰亞胺矩形介質(zhì)柱,矩形介質(zhì)柱高度與所述第二介質(zhì)基板(2)相同; 所述輻射貼片(4)包括矩形貼片(11)、兩個(gè)圓形貼片(9)、第一縫隙(7)和第二縫隙(8); 所述矩形貼片設(shè)于所述第一介質(zhì)基板(3)的中央位置,兩個(gè)圓形貼片(9)分別對稱地設(shè)于所述矩形貼片(11)的兩個(gè)直角位置,所述第一縫隙(7)和所述第二縫隙(8)對稱開設(shè)于所述矩形貼片(11)中部位置。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人上海電力大學(xué),其通訊地址為:201306 上海市浦東新區(qū)滬城環(huán)路1851號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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