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龍圖騰網獲悉電子科技大學;華潤微電子(重慶)有限公司申請的專利限制安全工作區的超結MOSFET SPICE模型建立方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115544927B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211136754.0，技術領域涉及：G06F30/3323；該發明授權限制安全工作區的超結MOSFET SPICE模型建立方法是由任敏;雷清瀅;李東野;馬榮耀;唐開鋒;丁繼;李澤宏;張波設計研發完成，并于2022-09-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本限制安全工作區的超結MOSFET SPICE模型建立方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種具有安全工作區SOA限制的超結MOSFETSPICE模型建立方法，應用于電子元器件建模領域。常用功率MOSFETSPICE模型僅用反偏二極管實現對定值擊穿的模擬，以限制器件的工作范圍；本發明基于超結MOSFET特有的疊加電場模型，提出了一種可模擬擊穿與熱失效的超結MOSFETSPICE模型，可輔助確認超結MOSFET器件是否在SOA范圍內工作；同時可模擬近SOA邊界的器件雪崩與短路特性，以適應極端電應力條件下的超結MOSFET模型驗證與應用電路仿真。

本發明授權限制安全工作區的超結MOSFET SPICE模型建立方法在權利要求書中公布了：1.一種限制安全工作區的超結MOSFETSPICE模型建立方法，其特征在于包括如下步驟： S1、取待進行SPICE模型開發的超結MOSFET器件產品，通過測試及查閱產品手冊分別確認器件在一定環境溫度及脈沖寬度的工作條件下的絕對最大額定值，包括最大漏極-源極間電壓、封裝決定的最大電流能力、最大工作結溫；并獲取器件的輸出特性、第三象限導通特性、電容特性及等效熱網絡； S2、根據直流及電容測試數據，反向提取超結MOSFET元胞結構及工藝參數； S3、依據超結MOSFET電荷及電場疊加模型，分別建立一次擊穿電壓、二次擊穿電壓隨漏源電流變化關系的計算模型，以及兩次擊穿的電壓區間內漏極電流隨漏源極間電壓變化關系的計算模型； S4、以超結MOSFET的物理擊穿模型為基礎，建立限制安全工作區SOA的超結MOSFET等效電路模型，其中以直流導通支路或現有常規超結MOSFET等效電路為核心，在外圍設計具有安全工作區SOA限制能力的電路拓撲，包括一次擊穿電流與限制支路、二次擊穿限制支路及功率限制支路；建立耦合熱網絡電路及判定電路； S5、由步驟S1的數據及步驟S3的模型計算結果分別確定直流導通支路、一次擊穿電流支路、最大漏源極間電壓限制支路、二次擊穿限制支路、功率限制支路、判定電路及等效熱網絡的電路參數； S6、確定SPICE模型中需使用的元件、函數和模型參數，編寫并根據需求封裝相關支路，獲得最終可直接在SPICE仿真器中調用的限制安全工作區SOA的超結MOSFET模塊或限制安全工作區SOA的外圍子電路模塊。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人電子科技大學;華潤微電子(重慶)有限公司，其通訊地址為：611731 四川省成都市高新區（西區）西源大道2006號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。