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          蘇州聚謙半導(dǎo)體有限公司黃子倫獲國家專利權(quán)

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          龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州聚謙半導(dǎo)體有限公司申請的專利自對準(zhǔn)雙槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115513288B 。

          龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為:202211227804.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D64/27;該發(fā)明授權(quán)自對準(zhǔn)雙槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制造方法是由黃子倫設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-10-09向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

          自對準(zhǔn)雙槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制造方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種自對準(zhǔn)雙槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制造方法,在襯底上形成第一種導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、第二種導(dǎo)電類型的體區(qū)層和第一種導(dǎo)電類型的源區(qū)層后,利用第一硬掩模至第四硬掩模之間的不同刻蝕選擇比,與側(cè)墻工藝相結(jié)合,在第一半導(dǎo)體層中以交替方式形成自對準(zhǔn)的多個(gè)柵溝槽和源溝槽的陣列,柵溝槽中形成有柵氧層和柵極,源溝槽中形成有第二種導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層,在柵溝槽和源溝槽之間的第一半導(dǎo)體層上形成有側(cè)墻結(jié)構(gòu),側(cè)墻之間形成有粘合層。本發(fā)明可節(jié)省光罩,縮小器件面積,并能進(jìn)一步減小電阻,增加電流量和開關(guān)速度,改善了器件性能。

          本發(fā)明授權(quán)自對準(zhǔn)雙槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種自對準(zhǔn)雙槽MOSFET結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,包括: 提供一襯底,形成覆蓋于所述襯底上表面上的第一種導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層; 在所述第一半導(dǎo)體層中形成位于所述第一半導(dǎo)體層上表面以內(nèi)的第一種導(dǎo)電類型的源區(qū)層,以及形成位于所述源區(qū)層下層的第二種導(dǎo)電類型的體區(qū)層; 在所述第一半導(dǎo)體層的上表面上形成多個(gè)第一硬掩膜層圖形; 在所述第一硬掩膜層圖形上保形形成第二硬掩膜層,并進(jìn)行回刻,在所述第一硬掩膜層圖形兩側(cè)形成第二硬掩膜層圖形,并露出所述第一硬掩膜層圖形的頂部和位于相鄰側(cè)的兩個(gè)所述第二硬掩膜層圖形之間的所述第一半導(dǎo)體層的上表面; 在露出的所述第一半導(dǎo)體層的上表面上覆蓋形成第三硬掩膜層,并進(jìn)行回刻,在位于相鄰側(cè)的兩個(gè)所述第二硬掩膜層圖形之間形成第三硬掩膜層圖形; 去除所述第二硬掩膜層圖形,然后,在所述第一硬掩膜層圖形兩側(cè)和所述第三硬掩膜層圖形兩側(cè)分別形成第一側(cè)墻結(jié)構(gòu); 以所述第一側(cè)墻為掩膜,在露出的所述第一半導(dǎo)體層的上表面上向下形成柵溝槽,在所述柵溝槽的內(nèi)壁上形成柵氧層,以及在所述柵氧層以內(nèi)的所述柵溝槽中形成柵極; 在所述柵溝槽上覆蓋形成第四硬掩膜層,并進(jìn)行回刻,在位于相鄰側(cè)的兩個(gè)所述第一側(cè)墻之間形成第四硬掩膜層圖形; 去除所述第一硬掩膜層圖形和所述第三硬掩膜層圖形,然后在露出的所述第一半導(dǎo)體層的上表面上向下形成自對準(zhǔn)于所述柵溝槽之間的源溝槽,以及在所述源溝槽中形成第二種導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層; 去除所述第四硬掩膜層圖形,在露出的所述柵溝槽和所述源溝槽上覆蓋形成位于所述第一側(cè)墻之間的粘合層。

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