浙江理工大學常山研究院有限公司胡海爭獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江理工大學常山研究院有限公司申請的專利一種CuCrO2/GaON異質結日盲紫外探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115911171B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310019051.8，技術領域涉及：H10F30/222；該發明授權一種CuCrO2/GaON異質結日盲紫外探測器及其制備方法是由胡海爭;朱羽晨;王宇超;吳超;王順利;郭道友設計研發完成，并于2023-01-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種CuCrO2/GaON異質結日盲紫外探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種CuCrO2GaON異質結構的日盲紫外探測器及其制備方法，所述探測器依次包括石英襯底，位于石英襯底上方的GaON薄膜，并對其進行原位等離子體處理；位于GaON薄膜上方的CuCrO2層；位于GaON薄膜上方的第一測試電極以及位于CuCrO2層的上方的第二測試電極；其中GaON薄膜與CuCrO2層，形成CuCrO2GaON異質結，構成內界電場，以分離光生載流子。所制備的CuCrO2GaON異質結構的日盲紫外探測器性能穩定，靈敏度高，響應速度快，可實現對波長小于280nm的日盲紫外光的有效探測。
本發明授權一種CuCrO2/GaON異質結日盲紫外探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種CuCrO2GaON異質結構的日盲紫外探測器，其特征在于，該探測器包括石英襯底1、GaON薄膜2、CuCrO2層3、第一測試電極4、第二測試電極5； 位于所述石英襯底1上方的GaON薄膜2，所述GaON薄膜2上方的CuCrO2層3，位于所述CuCrO2層3上的第一測試電極4，位于所述GaON薄膜2一側且位于上方的第二測試電極5，所述GaON薄膜2與所述CuCrO2層3形成CuCrO2GaON異質結，構成內界電場。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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