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龍圖騰網獲悉法國勁浪公司申請的專利高性能音頻放大器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118715711B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202380019139.8，技術領域涉及：H03F3/30；該發明授權高性能音頻放大器是由克里斯蒂安·朱里;路德維克·烏爾林-卡達爾;米歇爾·馬蘭當設計研發完成，并于2023-01-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本高性能音頻放大器在說明書摘要公布了：本發明涉及一種旨在控制至少一個揚聲器R44的高性能音頻放大器102，該放大器包括接收輸入信號S1的前置放大級301、連接到前置放大級301的功率放大級302以及將輸出信號3的圖像遞送到前置放大級301的負反饋回路，功率放大級302包括兩個供電電路155a、155b，這兩個供電電路包括MOSFET晶體管M1、M2。本發明的特征在于，其包括：用于輔助充電的子電路、用于輔助對所述MOSFET晶體管M1、M2放電的子電路、以及電壓移位子電路。

本發明授權高性能音頻放大器在權利要求書中公布了：1.一種旨在控制至少一個揚聲器R44的高功率音頻放大器102，所述放大器包括： -前置放大級201、301，接收輸入信號S1； -功率放大級202-203、302，連接到所述前置放大級201、301，并提供旨在為所述至少一個揚聲器R44供電的輸出信號3；所述前置放大級201、301和所述功率放大級202-203、302包括彼此鏡像安裝的上部和下部； -反饋，向所述前置放大級201、301提供所述輸出信號3的圖像； -上電源電路151-155、155a，連接到所述功率放大級202-203、302的所述上部，并且使其能夠由第一電源總線V++或第二電源總線V+供電； -下電源電路155b，連接到所述功率放大級202-203、302的所述下部，并且使其能夠由第一或第二電源總線供電； -各個電源電路151-155、155a、155b包括MOSFET晶體管M1、M2和監測裝置，所述MOSFET晶體管M1、M2由所述監測裝置控制，以便在兩條電源總線V++、V+中的一者或另一者之間進行切換，所述MOSFET晶體管M1、M2經由第四二極管D3、D11連接到所述第二電源總線V+，所述第四二極管的第一端子連接到所述MOSFET晶體管M1、M2的源極，并且所述MOSFET晶體管M1、M2的漏極連接到所述第一電源總線V++，其特征在于，各個電源電路151-155、155a、155b還包括： -子電路131-133，用于輔助對所述MOSFET晶體管M1、M2充電，包括至少第一電阻器R24、R31，所述第一電阻器R24、R31的第一端子連接到所述MOSFET晶體管M1、M2的柵極，并且所述第一電阻器R24、R31的第二端子連接到互連點A1； -子電路141，用于輔助對所述MOSFET晶體管M1、M2放電，包括至少第二電阻器R8、R27和第三電阻器R21、R39以及雙極晶體管Q12、Q13；所述雙極晶體管Q12、Q13的基極連接到所述第三電阻器R21、R39的第一端子，其發射極連接到所述MOSFET晶體管M1、M2的所述柵極，并且其集電極經由所述第二電阻器R8、R27連接到所述MOSFET晶體管M1、M2的所述源極，所述第三電阻器R21、R39的第二端子連接到所述互連點A1、A2；以及 -電壓移位子電路161-163，包括與第一電容器C18、C23并聯安裝的第一二極管D8、D10；所述第一二極管D8、D10的第一端子和所述第一電容器C18、C23的第一端子連接到第一互連節點N1、N4，所述第一互連節點本身連接到所述用于輔助放電的所述子電路141的所述互連點A1、A2；所述第一二極管D8、D10的第二端子和所述第一電容器C18、C23的第二端子連接到第二互連節點N2、N3，所述第二互連節點本身連接到所述輸出信號3。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人法國勁浪公司，其通訊地址為：法國拉塔洛迪耶爾；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。