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龍圖騰網獲悉中環領先半導體科技股份有限公司申請的專利一種硅片及其加工方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118366859B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410401232.1，技術領域涉及：H01L21/324；該發明授權一種硅片及其加工方法是由王虎;孫林杉;顧長恒設計研發完成，并于2024-04-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種硅片及其加工方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種硅片及其加工方法。該硅片加工方法，包括：對待處理的硅片進行拋光處理；在拋光處理之后對硅片進行第一次退火處理；在第一次退火處理之后對硅片進行第二次退火處理；其中，第一次退火處理具有第一退火溫度T1和第一退火時間t1，第二次退火處理具有第二退火溫度T2和第二退火時間t2，滿足：T1≥T2，t2≥t1。本申請通過在對硅片拋光后再進行兩次退火處理，并滿足：T1≥T2，t2≥t1，消除了硅片的原生氧沉淀，保障退火工藝過程中氧沉淀徑向成核長大的均勻性，降低了第二次退火處理過程中硅片與碳化硅SiC舟舟齒接觸位置的熱應力影響，從而避免接觸位置產生滑移線。

本發明授權一種硅片及其加工方法在權利要求書中公布了：1.一種硅片加工方法，其特征在于，包括： 對待處理的硅片進行拋光處理； 在所述拋光處理之后對所述硅片進行第一次退火處理； 將第一退火爐按照第一降溫速率V2由第一退火溫度T1降溫至第一待機溫度T4，所述第一降溫速率V2的范圍為80～90℃s； 在所述第一次退火處理之后對所述硅片進行第二次退火處理； 其中，所述第一次退火處理具有第一退火溫度T1和第一退火時間t1，所述第二次退火處理具有第二退火溫度T2和第二退火時間t2，滿足：T1≥T2，t2≥t1,所述第一退火溫度T1的范圍為1200～1300℃，所述第一退火時間t1的范圍為5～15s；所述第二退火溫度T2的范圍為1000～1200℃，所述第二退火時間t2的范圍為1～4h，以使所述硅片的晶向偏離度為0.15～0.45°，所述硅片在所述硅片與碳化硅舟舟齒接觸位置無滑移線產生； 在所述第一次退火處理之后對所述硅片進行第二次退火處理，包括： 將第二退火爐按照第二升溫速率V3由第二初始溫度T5升溫至第一溫度T7，所述第二升溫速率V3的范圍為3～10℃min； 將第二退火爐按照第三升溫速率V4由第一溫度T7升溫至第二溫度T8，所述第三升溫速率V4的范圍為1～4℃min； 將第二退火爐按照第四升溫速率V5由第二溫度T8升溫至第三溫度T9，所述第四升溫速率V5的范圍為1.5～3℃min； 將第二退火爐按照第五升溫速率V6由第三溫度T9升溫至第二退火溫度T2以對所述硅片進行第二次退火處理，所述第五升溫速率V6的范圍為0.5～2℃min。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中環領先半導體科技股份有限公司，其通訊地址為：214203 江蘇省無錫市宜興經濟技術開發區東氿大道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。