拓荊創(chuàng)益(沈陽)半導體設(shè)備有限公司鄭旭東獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉拓荊創(chuàng)益(沈陽)半導體設(shè)備有限公司申請的專利一種半導體器件的加工設(shè)備獲國家實用新型專利權(quán)，本實用新型專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN223260547U 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的實用新型授權(quán)公告中獲悉：該實用新型的專利申請?zhí)?專利號為：202421925974.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該實用新型一種半導體器件的加工設(shè)備是由鄭旭東;郭東設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-08-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種半導體器件的加工設(shè)備在說明書摘要公布了：本實用新型提供了一種半導體器件的加工設(shè)備。所述半導體器件的加工設(shè)備包括：多個工藝腔室、屏蔽罩及多個導電結(jié)構(gòu)。所述多個工藝腔室分別配置有獨立控制的電極。各所述電極分別向?qū)?yīng)的工藝腔室提供射頻，以對其中的晶圓進行加工。所述屏蔽罩包圍各所述電極并接地，以進行電離輻射屏蔽。多個導電結(jié)構(gòu)第一端連接所述屏蔽罩，而其第二端分別連接各所述工藝腔室上對應(yīng)電極的電極感應(yīng)區(qū)，以消除各所述電極感應(yīng)區(qū)之間的電勢差。
本實用新型一種半導體器件的加工設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體器件的加工設(shè)備，其特征在于，包括： 多個工藝腔室，分別配置有獨立控制的電極，其中，各所述電極分別向?qū)?yīng)的工藝腔室提供射頻，以對其中的晶圓進行加工； 屏蔽罩，包圍各所述電極并接地，以進行電離輻射屏蔽；以及 多個導電結(jié)構(gòu)，其第一端連接所述屏蔽罩，而其第二端分別連接各所述工藝腔室上對應(yīng)電極的電極感應(yīng)區(qū)，以消除各所述電極感應(yīng)區(qū)之間的電勢差。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人拓荊創(chuàng)益(沈陽)半導體設(shè)備有限公司，其通訊地址為：110171 遼寧省沈陽市渾南區(qū)水家900號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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