同濟大學程鑫彬獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉同濟大學申請的專利一種高衍射效率的直接溯源型光柵制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119105121B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202411227540.3,技術領域涉及:G02B5/18;該發明授權一種高衍射效率的直接溯源型光柵制備方法是由程鑫彬;鄧曉;肖光旭;薛棟柏;李同保;林子超;唐朝輝;沈俊宇;尹志珺;周通設計研發完成,并于2024-09-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高衍射效率的直接溯源型光柵制備方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種高衍射效率的直接溯源型光柵制備方法,屬于高精密光柵制造領域,包括以下步驟:1基于高溫熱蒸發法在真空中產生中性原子束;2采用激光多普勒冷卻降低中性原子束橫向運動速度;3利用激光駐波場對原子束進行會聚,并使其垂直沉積到基板上并形成直接溯源型光柵結構;4在直接溯源型光柵表面利用熱蒸發法依次蒸鍍金屬膜與保護膜,獲得高衍射效率的直接溯源型光柵標準樣板。本發明提供了一種高衍射效率的直接溯源型光柵制備方法,能夠顯著提高直接溯源型光柵的衍射效率,操作簡單,同時能夠不破壞直接溯源型光柵的自溯源性。
本發明授權一種高衍射效率的直接溯源型光柵制備方法在權利要求書中公布了:1.一種高衍射效率的直接溯源型光柵制備方法,其特征在于,包括以下步驟: S1、基于高溫熱蒸發法在真空中產生中性原子束; S2、采用激光多普勒冷卻降低中性原子束橫向運動速度; S3、利用激光駐波場對原子束進行會聚,并使其垂直沉積到基板上形成直接溯源型光柵結構; S4、在直接溯源型光柵表面利用熱蒸發法依次蒸鍍金屬膜與保護膜,獲得高衍射效率的直接溯源型光柵標準樣板; 步驟S1具體為:將直接溯源型光柵制備材料放入高溫蒸發源坩堝中,真空腔抽至高真空條件,在距離坩堝一定距離處放置一小孔作為預準直孔,經過預準直孔可形成具有一定發散角的中性原子束; 步驟S1中,高溫蒸發源的溫度穩定性控制在±0.1%,蒸發室的真空度優于2E-6pa; 步驟S2具體為:利用與原子躍遷頻率有一定失諧量的激光垂直作用在中性原子束的運動方向上,而后經過反射鏡原路返回,將中性原子束的橫向速度冷卻至極限,減小原子束的橫向速度;激光的失諧量控制在原子躍遷頻率自然線寬一半,同時調節兩束冷卻光與原子束正交; 步驟S3具體為:利用與原子躍遷頻率有一定失諧量的激光束,經過凸透鏡會聚得到會聚沉積光,再經過反射鏡原路返回形成穩定的激光駐波場,對該中性原子束進行周期性調控,形成能夠溯源至原子躍遷頻率的直接溯源型光柵結構; 步驟S3中,激光束的激光頻率相對原子躍遷頻率正或負失諧時,激光束沉積在激光駐波場的波節或波腹位置,且沉積激光波長的頻率穩定性要維持在100kHz量級以內,同時激光的方向與中性原子束嚴格正交; 步驟S4中,金屬膜材料為銀、鋁或金,保護膜為氟化鎂或硅的衍生材料,金屬膜厚度為直接溯源型光柵峰谷高度的一半,保護膜厚度為直接溯源型光柵峰谷高度的四分之一。
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