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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司申請的專利半導(dǎo)體清洗設(shè)備及其卡盤結(jié)構(gòu)獲國家實(shí)用新型專利權(quán)，本實(shí)用新型專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN223260573U 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉：該實(shí)用新型的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202422320537.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/683；該實(shí)用新型半導(dǎo)體清洗設(shè)備及其卡盤結(jié)構(gòu)是由王海闊;努爾夏提奴爾東設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-09-23向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體清洗設(shè)備及其卡盤結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體清洗設(shè)備及其卡盤結(jié)構(gòu)，包括用于承載晶圓的卡盤基體，在卡盤基體中設(shè)置有進(jìn)氣通道，進(jìn)氣通道在卡盤基體的與晶圓相對的第一表面上具有多個(gè)出氣口，用于通過吹出的氣體承載晶圓；第一表面上設(shè)置有第一環(huán)形凸臺(tái)，第一環(huán)形凸臺(tái)的上表面高于氣體所承載的晶圓下表面，第一環(huán)形凸臺(tái)的內(nèi)徑大于晶圓的直徑，且第一環(huán)形凸臺(tái)的內(nèi)周面與晶圓的邊緣之間形成有第一導(dǎo)流通道。本方案可以減小晶圓下表面膜層的腐蝕區(qū)域，滿足先進(jìn)工藝要求。

本實(shí)用新型半導(dǎo)體清洗設(shè)備及其卡盤結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體清洗設(shè)備的卡盤結(jié)構(gòu)，包括用于承載晶圓的卡盤基體，其特征在于，在所述卡盤基體中設(shè)置有進(jìn)氣通道，所述進(jìn)氣通道在所述卡盤基體的與所述晶圓相對的第一表面上具有多個(gè)出氣口，用于通過吹出的氣體承載晶圓； 所述第一表面上設(shè)置有第一環(huán)形凸臺(tái)，所述第一環(huán)形凸臺(tái)的上表面高于所述氣體所承載的晶圓下表面，所述第一環(huán)形凸臺(tái)的內(nèi)徑大于所述晶圓的直徑，且所述第一環(huán)形凸臺(tái)的內(nèi)周面與所述晶圓的邊緣之間形成有第一導(dǎo)流通道。

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